第四代半導體缺點
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一文读懂氧化镓（第四代半导体）
https://www.slkormicro.com
什么是第四代半导体器件？
https://www.zhihu.com
但所谓四代的划分很模糊，多是来自民间学术组织定义。目前有可能发展成四代半导体的材料体系就包括：窄带隙的锑化镓、铟化砷化合物半导体、超宽带隙的 ...
前瞻深度！一文看懂第四代半导体氧化镓（附上市公司布局）
https://xueqiu.com
上文我们已经详细说明了氧化镓对比第三代半导体材料的具体优势，那么，氧化镓有什么缺点呢？ 缺点一：导热性低VS攻克进度. 在所有可用于射频放大或功率切换的半导体中， ...
国内“第四代半导体” 迎重大突破！_氧化
https://www.sohu.com
相信很多人都了解以碳化硅、氮化镓为主的第三代半导体材料，但对氧化镓却少有所闻，氧化镓是“第四代半导体”的典型代表，凭借其高耐压、低损耗、高 ...
国内“第四代半导体”迎重大突破！
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氧化镓作为第四代半导体的代表，被视为“替代碳化硅和氮化镓”的新一代半导体 ... 材料所具备的优势，但要像大规模落地，还有一些需要解决的缺点： 一是 ...
第三代半導體能否引領電子晶片業的一次革新？
https://tw.tech.yahoo.com
ROHM在其發佈聲明中聲稱，他們的第4代產品通過進一步改進原有的雙溝槽結構，在不犧牲短路耐受時間的情況下，將每單位面積的導通電阻比傳統產品降低40%。
第四代半導體台廠商機來了
https://money.udn.com
業界分析，第四代半導體相較於第三代半導體，在基板製作更容易，同時具備超寬能隙的特性，使材料所能承受更高電壓的崩潰電壓和臨界電場，在超高功率元件 ...
第四代半導體氧化鎵的機遇與挑戰
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目前，以碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體受到廣泛的關注，人們對SiC在新能源汽車、電力能源等大功率、高溫、高壓場合，以及GaN在快充領域的 ...
第四代半導體：氧化鎵
https://www.digitimes.com.tw
能隙越寬，半導體能夠忍受的電場強度就越大，也就是元件能夠在更高的電壓下工作。而氧化鎵的能隙達到了4.9 eV，這對於電源功率轉換上是一大優勢。然而單憑 ...