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ecp製程

「ecp製程」文章包含有:「Ch11Metallization」、「TWI496961B」、「丹爸的科學筆記」、「創新的無凸塊覆晶封裝」、「執行電化學鍍覆製程的方法以及形成半導體結構的方法」、「應用材料宣布第二代ECP製程設備已獲突破」、「積體電路後段導線材料與沈積製程之發展近況」、「金屬化製程」、「銅化學機械研磨製程及研磨液簡介」

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Ch11 Metallization
Ch11 Metallization

http://homepage.ntu.edu.tw

製程反應室. 至幫浦. 加熱平台. 晶圓. 製程氣體. RF 功率 ... ▫ ECP 或CVD 巨量沈積層. ▫ 在巨量銅沈積後進行加熱 ... Step 4: 銅與鉭CMP製程, CVD 氮化矽. FSG. Cu. SiN. Ta.

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TWI496961B
TWI496961B

https://patents.google.com

目前業界多採用電化學電鍍(electrochemical plating,ECP) ... 因此,各廠商都致力於研究並改良現有的電化學電鍍製程,以獲得較佳填洞能力的銅導電層。 ... 形成溝渠402的方式 ...

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丹爸的科學筆記
丹爸的科學筆記

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【丹爸的半導體製程概論筆記】-電鍍銅製程的原理這回丹爸幫大家整理了,電鍍銅製程(Cu ECP)的原理,大家可能不知道台積電之所以可以稱霸台灣半導體市場,剛開始的第一 ...

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創新的無凸塊覆晶封裝
創新的無凸塊覆晶封裝

http://www.ctimes.com.tw

電化學沈積(Electrochemical Plating, ECP)具有低成本及較佳電性優點,目前已廣泛用於IC銅製程中。而針對TAB所需在晶圓上植入錫鉛或金凸塊,及一般的覆晶製程,也都使用 ...

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執行電化學鍍覆製程的方法以及形成半導體結構的方法
執行電化學鍍覆製程的方法以及形成半導體結構的方法

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方法更包括執行電化學鍍覆(ECP)製程以將導電層填滿多個接觸開口。執行ECP製程包括在ECP製程進行時,原位監測電鍍金屬與電鍍溶液中的電解質的介面電阻,且回應於介面電阻 ...

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應用材料宣布第二代ECP製程設備已獲突破
應用材料宣布第二代ECP製程設備已獲突破

http://www.ctimes.com.tw

半導體設備大廠美商應用材料(Applied Materials)日前宣佈,該公司第二代ECP(electrochemical plating)製程設備已有技術上的突破,該技術可協助以銅製程為基礎的 ...

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積體電路後段導線材料與沈積製程之發展近況
積體電路後段導線材料與沈積製程之發展近況

https://tpl.ncl.edu.tw

其中,物理氣相濺鍍與化學氣相沈積. 常見於傳統半導體薄膜製程;電化學析鍍製程 ... Copper, ECP-Cu). 電化學鍍銅早在一個世紀前即己被提 ... 許多製程上的困難,並衍生許多新的 ...

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金屬化製程
金屬化製程

http://140.117.153.69

電化學電鍍法(ECP). • 老技術. • 仍然在硬體,玻璃,汽車,電子和五金被使用. • 近來引入IC 工業. • 巨量銅沉積. • 低溫製程. 與低介電常數材料可以兼容. • 與低介電常數材料 ...

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銅化學機械研磨製程及研磨液簡介
銅化學機械研磨製程及研磨液簡介

https://www.materialsnet.com.t

本文主要提及銅製程中CMP製程的設計,. 及銅製程用研磨劑的種類及組成。 Copper CMP製程主要可以分為只以一種研磨劑研磨到end-point,. 或以兩種以上研磨劑分段研磨。

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