esd半導體
「esd半導體」熱門搜尋資訊
「esd半導體」文章包含有：「8.1元件充電模式之防護設計(CDMESDProtection)」、「ESD」、「互補式金氧半積體電路之靜電放電防護」、「半導體產品ESD靜電防護能力測試」、「單一SoC和多晶粒系統的靜電放電(ESD)防護設計」、「您的MOSFET採用哪一種ESD保護元件？」、「積體電路之靜電放電防護簡介」、「靜電放電概論」、「靜電敏感設備」、「靜電破壞（ESD破壞）」
查看更多
8.1 元件充電模式之防護設計(CDM ESD Protection)
http://www.ics.ee.nctu.edu.tw
隨著半導體製程技術的進步，電晶體閘級氧化層越來越薄. ，元件充電模式靜電放電所造成的損傷現象將更常發生在. IC產品中，因此在積體電路靜電放電防護上必須要另外再.
ESD
http://www.ics.ee.nctu.edu.tw
ESD Technology. 簡介 · 靜電放電的模式以及工業測試標準 · 靜電放電的測試 · 靜電放電防護設計之基本概念 · 傳輸線觸波產生器量測系統(TLPG System) · 互補式金氧半積體 ...
互補式金氧半積體電路之靜電放電防護
http://www.ics.ee.nctu.edu.tw
靜電放電(Electrostatic Discharge, ESD)是造成大多數的. 電子元件或電子系統受到過度電性應力(Electrical Overstress. , EOS)破壞的主要因素。這種破壞會導致半導體 ...
半導體產品ESD靜電防護能力測試
http://www.vesp-tech.com
華證科技為蔚華集團旗下之半導體電子產品第三方獨立驗證實驗室，致力於提供可靠性驗證(RA)、靜電防護能力測試(ESD/LU)、故障分析(FA) 、動態電性故障分析（Dynamic ...
單一SoC 和多晶粒系統的靜電放電(ESD)防護設計
https://www.synopsys.com
30% 以上的半導體故障是由靜電放電(electrostatic discharge, ESD) 造成的。ESD 協會將靜電放電(ESD)定義為「高壓靜電場引發的靜電電荷快速、自發性轉移」，並會干擾 ...
您的MOSFET採用哪一種ESD保護元件？
https://e2e.ti.com
多功率金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）使用一層薄薄的氧化物作為絕緣層，分隔閘極與電晶體的主動區域。如同用於製造微處理器的MOSFET元件，功率 ...
積體電路之靜電放電防護簡介
http://www.alab.ee.nctu.edu.tw
靜電放電(electrostatic discharge, ESD) 是造成大多數的電子元件或電子系統故障與損壞. 的主要因素。靜電放電的產生多是由於人為因素所形成，但又很難避免。例如電子元件 ...
靜電放電概論
https://www.esda.org
靜電放電可以改變半導體設備的電氣特性，減損或破壞它的效能。靜電放電也可能會. 影響電子系統的正常運轉，造成設備故障或失靈。帶電物體的表面會吸附並留置污染物 ...
靜電敏感設備
https://zh.wikipedia.org
靜電敏感設備（英語：Electrostatic-sensitive device，通常縮寫為ESD）是可能由人員、工具和其他非導體或半導體上形成的常見靜電損壞的任何組件（主要是電氣）。
靜電破壞（ESD破壞）
https://www.keyence.com.tw
靜電破壞（ESD破壞）. IC（積體電路）等電子零件即使是微弱的電流通過也會導致電路異常 ... 半導體產業： ±100 V以下（耐受性視元件而異）; 液晶產業： ±100 V以下; MR磁頭 ...