p-lapping分析
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查看更多IC去層(Delayer)
http://www.vesp-tech.com
IC去層(Delayer). 利用乾、濕蝕刻與水平研磨方式來去除metal與oxide可利用光學或電子顯微鏡來搭配檢驗是否有異常。 應用場景. 晶片Al、Cu製程的metal去除; PCB lapping ...
Parallel Lapping of Devices for Deprocessing.
http://www.southbaytech.com
Parallel lapping is a commonly used process in failure analysis, debug, and general construction analysis in the production of integrated circuits.
乾式蝕刻及研磨去層次
https://www.matek.com
在層次去除應用上,以故障結構分析及逆向工程為主。在故障分析上可藉由層次去除,確認在製程中所發生的缺陷,例如蝕刻殘留、金屬層裂痕斷線、氧化 ...
半导体一站式解决方案
https://www.sgsonline.com.cn
P-lapping 分析. Dual beam FIB, WBS 绑线拉剪切力, WBP 绑线拉力. 2. 汽车半导体认证测试AEC-Q 测试标准:AEC-Q100(集成芯片)、AEC-Q103(MEMS)、AEC-Q101(分立半导体 ...
故障分析FA 失效分析
https://www.istgroup.com
驗退品分析; 產品瑕疵檢測; 可靠度分析後之失效模式分析. C/P, F/T, PCBA 後樣品分析; 第三方公正報告. 團隊專業. 經驗豐富. 設備完善. 服務特色. 一站 ...
矽晶圓製造業資源化應用技術手冊
https://riw.tgpf.org.tw
或P 型決定,N 型摻雜物為磷(P)元素,P 型摻雜物為硼(B)元素。 (2)熔化 ... 放射性追蹤原子分析和質譜分析結果,採用雙氧水體系清洗晶片效果最. 好,同時所用 ...
矽晶片斷裂強度測試方法與破壞模式分析
https://www.materialsnet.com.t
其中L為跨距,b為樑寬,h為樑高,P. 為三點彎曲測試中承受的最大負荷,σ. 為樑內最大拉伸應力。 此方法的破壞模式是從晶片背表. 面中心線處斷裂,故適用於晶片背表. 面存在 ...
第四章實驗結果與分析
http://rportal.lib.ntnu.edu.tw
Lapping Machine f. Lap per ping Machi e f r ne p f f≠. )與頻率有關。 Page 27. 62. 同相位. 週期波頻率=拍打器頻率=天然頻fo=3.8 (Hz). 週期波頻率=拍打器頻率=天然頻 ...
觀察樣品截面時,該如何選擇試片製備與觀察工具?
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聚焦離子束, FIB : 利用離子束的方式對試片做小範圍的切割,再傾斜一個角度觀察截面; 電漿聚焦離子束, P-FIB : 原理同FIB,但適合切割較大的範圍; 穿透式 ...
重磅
https://ibook.antpedia.com
P-lapping 分析. Dual beam FIB. 汽车半导体认证测试AEC-Q. 测试标准:AEC-Q100(集成芯片)、AEC-Q103(MEMS)、AEC-Q101(分立半导体)、AEC-Q104(多晶圆及 ...