濕蝕刻原理：最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wet chemistry)

3.1 單晶矽非等向性濕式蝕刻

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影響非等向性溼式蝕刻的因素十分複雜，主要的因素包括矽晶圓的晶格方. 向、蝕刻液的選擇、操作溫度、蝕刻時間、蝕刻液濃度及攪拌的方式【53】，. 其它的像添加物的種類、矽 ...

Ch9 Etching

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•對於小於3 µm尺度之蝕刻並不適用. •在處理圖案化蝕刻時，電漿蝕刻逐漸取代濕式蝕刻. 濕式蝕刻. ▫. 化學溶液溶解晶圓表面上的物質. ▫. 副產物為氣體、液體或可溶於蝕刻劑 ...

【蚀刻升级篇】剖析干蚀刻和湿蚀刻的作用、制程及其原理

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带正电的ion被selfbias的负电位吸引几乎垂直撞向基板，轰击膜层表面的分子键合，促进radical的化学反应，并使表面产生的反应物脱落。

什麼是蝕刻(Etching)？

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在濕蝕刻中是使用化學溶液，經由化學反應以達到蝕刻的目的，而乾蝕刻通常是一種電漿蝕刻(plasma etching)，電漿蝕刻中的蝕刻的作用，可能是電漿中離子撞擊 ...

必須將已曝光的部分從晶圓上除去，蝕刻製程的功能

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蝕刻技術可以分為濕蝕刻(wet etching)與乾蝕刻(dry etching)兩類。濕蝕刻是將晶片浸沒於適當的化學溶液中，或將化學溶淬噴灑至晶片上，經由溶液與被蝕刻物間的化學反應 ...

晶圓製程中的乾蝕刻與濕蝕刻是什麼?

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當蝕刻種源為薄膜所攜著時，晶圓板表面便將引起化學反應，反應後之物質將自表面脫離並循排氣排至外部，藉此進行蝕刻。 乾式蝕刻中，為使能夠獲得與感光圖 ...

蝕刻技術

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蝕刻技術(Etching Technology)www.tool

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在濕蝕刻中是使用化學溶液，經由化學反應以達到蝕刻的目的，而乾蝕刻通常是一種電漿蝕刻(plasma etching)，電漿蝕刻中的蝕刻作用，可能是電漿中離子撞擊 ...

辛耘知識分享家

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... 原理、應用和特點等方面存在不同。以下是乾蝕刻和濕蝕刻的比較：. 乾蝕刻（Dry etching）, 濕蝕刻（Wet etching）. 處理方式, 通常在真空或低壓條件下進行 ...