InP PD:InGaAsInP PD chip
InGaAsInP PD chip
全新光電專訪》用砷化鎵彎道超車打造全球磊晶代工廠
https://ctee.com.tw
隨波長所需越來越長,三五族一員的磷化銦(InP)近期受到市場注意,惟其 ... 光纖傳輸LD、PD為其一,另一是走微波通訊的砷化鎵,第三是走四元的LED。
技術
https://www.wtkmicro.com
PD. Short Reach 10Gbps/ 25Gbps GaAs PIN Photodiode Chip/ Array; Long Reach 2.5Gbps/ 10Gbps InP PIN Photodiode Chip/ Array; Mesa-structured PIN photodiode ...
砷化銦鎵光偵測器磊晶片InGaAs PD epi wafer
http://www.vpec.com.tw
砷化銦鎵光偵測器磊晶片(InGaAs PD Epi Wafer). 三五族化合物半導體,由於具備優異的光電轉換效率,低暗電流及高電子移動率,因此非常適合用於做為光偵測器的應用。
砷化銦鎵光崩潰二極體於單光子偵測器之應用
https://ir.nctu.edu.tw
實驗中採用InGaAs/InP APD 作為單光子偵測器的核心元件。第二章為光崩. 潰二極體,文中會介紹APD 在Geiger-Mode 的操作特性、單光子探測機制與 ...
磷化銦(InP)在5G超高速傳輸技術之應用潛力
https://www.moea.gov.tw
InP具有電子遷移率高、耐輻射性能好、能隙帶寬度較Si大等優點,在兩大應用領域擁有關鍵優勢:(1)光通訊傳輸領域:波長為1,000 nm以上的發射和探測能力;(2) ...
聯亞應用於消費性產品PD量產出貨,Q1營運回升,EPS 0.22元
https://tw.tech.yahoo.com
... 應用於消費性產品的PD開始量產,這是手機廠和雷射廠在全世界第一次把磷化銦(InP)放到消費性應用,預估今年額外貢獻25~30%總營收。