HPM Clean
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Cleaning Technology in Semiconductor Device Manufacturing
https://www.electrochem.org
... cleaning solution. The HC1/H202/H20 (HPM) cleaning solution may be the most dangerous source of chloride contamination. The HPM cleaning has been used to ...
TWI409862B
https://patents.google.com
最終溶液是一種含有HCl、H 2 O 2 和H 2 O之混合物的標準潔淨2溶液(SC2)。有時候，SC2溶液也可稱為「HPM溶液」，其係代表氫氯酸－過氧化氫混合物(Hydrochloric acid ...
Wafer Cleaning Process
https://www.modutek.com
The SC2 cleaning method uses a solution that is typically made up of 6 parts deionized water, 1 part hydrochloric acid and 1 part hydrogen peroxide or HPM ( ...
台灣半導體研究中心異質整合製程組晶圓溼式清洗系統(Wet ...
https://www.tsri.org.tw
HPM ( SC-2 ). 化學品. H2SO4 : H2O2. HF : H2O. NH4OH：H2O2：H2O HCl：H2O2：H2O ... o 全新開封的4 吋或6 吋或8 吋晶圓。 o 嚴禁使用破片。 o 晶圓上有任何有機或金屬結構 ...
實驗一 熱電性質與四點探針方法
http://nanosioe.ee.ntu.edu.tw
HPM: hydrogen Peroxide-water Mixture. SC: Standard Clean. RCA清洗是在1965年，由美國RCA公司(Radio Corporation of America)的. Werner Kern首度提出，當時只有五個 ...
工學院半導體材料與製程設備學程
https://ir.nctu.edu.tw
1963 年，Kern [35]發表了最初的RCA 標準清洗該技術. 使用APM 和HPM 兩種清洗液，這是半導體清洗技術的重要里程埤，一直. 到現在，RCA 都還是半導體製造業大量使用的清潔 ...
最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wet chemistry)
https://www.tsri.org.tw
SC-2(HPM). 氯化氫/過氧化. 氫/DI 水. HCl/H2O2/H2O. 金屬. （非銅）. Piranha(SPM) ... 標準清潔液2 (standard clean 2)為HCl/H2O2/H2O. 比例為： 1:1:6 至1:2:8. 清潔溫度 ...
濕式化學品在半導體製程中之應用
https://www.materialsnet.com.t
HPM步驟在金屬雜質的去除上扮演. 重要的角色。由於一般的金屬氯鹽皆可. 輕易的溶於 ... (SPM, Piranha Clean,. Caro Clean):. 主要是在清除晶圓表面的有機物。 利用硫酸及 ...
第一章緒論
https://ir.nctu.edu.tw
HCl/H2O2/H2O:主要是應用在金屬離. 子之去除。利用HCl 所形成之活性離子易於金屬離子化合之原理。一般是以. HCl:H2O2:H2O ＝1:1:6 ...
辛耘知識分享家
https://www.scientech.com.tw
SC-2 (HPM)：去除離子污染（ionic clean）; DHF：去除薄氧化層（氧化層）; BOE (Buffered Oxide Etch)：緩衝氧化物刻蝕液(HF / NH4F); SPM (Piranha) ...