High k
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Low k、High k到底在幹嘛？
https://ryanwu.pixnet.net
High k能減少閘極漏往基極的電流，可節省晶片的功耗用電，使晶片更省電運作。 High k材質既然能提供更佳的絕緣性，那麼SOI的絕緣層也可以使用，將二氧化矽換成 ...
360°科技－High
https://www.digitimes.com.tw
High-k意指高介電常數，是用以衡量一種材料能儲存多少電荷。空氣是此一常數的參考點，其k值為1。High-k材料，如HfO2 ZrO2及TiO2，天生具有超過二氧化矽3.9的介電常數或k值。k值 ...
High
https://en.wikipedia.org
In the semiconductor industry, the term high-κ dielectric refers to a material with a high dielectric constant (κ, kappa), as compared to silicon dioxide.
高介電常數蒸鍍材料
https://www.esoar.net
High-k意指高介電常數，是用以衡量一種材料能儲存多少電荷。 空氣是此一常數的參考點，其k值為1。 High-k材料，如HfO2、ZrO2及TiO2，具有超過二氧化矽3.9的介電常數或k值。 k ...
高介電係數閘極介層技術
https://www.materialsnet.com.t
相關電特性與效能隨元件尺寸縮小. 為原來的1/K時，其變化的趨勢如表一所. 示。 如表一所示，元件尺寸縮小可以分. 成定電壓與定電場兩種模式。在定電壓.
先進High
https://www.airitilibrary.com
經過多年的發展與研究，高介電係數(high-k)絕緣層取代傳統SiO2絕緣層是一種有效的方式去解決閘極漏電問題，特別是HfO2。HfO2已經量產於通道長度32nm或更小尺寸的元件 ...
高介電絕緣層對先進金氧半場效應電晶體元件影響之研究
https://lic.niu.edu.tw
為了克服此問題，於是造. 就元件的演進，甚至從元件取代材料著手，目前已知把氧化層材料由原先的二氧化矽氧化層，. 改為使用High－κ 材料，即高介電絕緣層，更能降低閘極漏電流、 ...
Why PolySi to HKMG
https://hackmd.io
涉及材料學的特性，因為High-K都是金屬氧化物(如HfO2)，所以跟金屬的接面特性比較好，反而跟Polysilicon接面不好。 HKMG都是用ALD做。 演進從gate first → HK ...
高介電常數金屬閘極（High
https://www.matek.com
這類金屬閘極和高介電常數的絕緣氧化物都是多元素交錯沉積的層狀結構，其中每層材料的厚度極薄，通常都在1-2 nm 以下，因此在層狀厚度、介面平整度和成份鑑定 ...