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Chemical Vapor Deposition
Chemical Vapor Deposition

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化学气相沉积
化学气相沉积

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化學氣相沉積(英語:chemical vapor deposition,簡稱CVD)是一種用來產生純度高、性能好的固態材料的化學技術。半導體產業使用此技術來成長薄膜。典型的CVD製程是將 ...

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化学气相沉积
化学气相沉积

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化学气相沉积(英语:chemical vapor deposition,简称CVD)是一种用来产生纯度高、性能好的固态材料的化学技术。半导体产业使用此技术来成长薄膜。典型的CVD工艺是将 ...

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化學氣相沉積
化學氣相沉積

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化學氣相沉積(英語:chemical vapor deposition,簡稱CVD)是一種用來產生純度高、效能好的固態材料的化學技術。半導體產業使用此技術來成長薄膜。典型的CVD製程是將 ...

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化學氣相沉積法
化學氣相沉積法

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化學氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition;CVD)是半導體工業中應用最廣泛、用來沉積多種物料的技術,包括大部分絕緣物料、大多數金屬物料和金屬合金 ...

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有機金屬化學氣相沉積法
有機金屬化學氣相沉積法

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有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition),是在基板上成長半導體薄膜的一種方法。 其他類似的名稱如:MOVPE (Metal-organic ...

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物理氣相沈積法(Physical Vapor Deposition,PVD)
物理氣相沈積法(Physical Vapor Deposition,PVD)

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從蒸發源到基片的距離應小於蒸氣分子在殘餘氣體中的平均自由程,以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學作用。蒸氣分子平均動能約為0.1~0.2 eV。 蒸發方法 ...

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物理氣相沉積
物理氣相沉積

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物理氣相沉積(英語:Physical vapor deposition,PVD)是一種工業製造上的工藝,屬於鍍膜技術的一種,是主要利用物理方式來加熱或激發出材料過程來沉積薄膜的技術,即 ...