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fsg半導體

「fsg半導體」文章包含有:「低介電常數材料之研究及其在深次微米金屬半導體積體電路之...」、「台積電FSG製程良率已達商業量產程度」、「則包含該關鍵詞出現在任一欄位(含基本資料及摘要)的所有計畫」、「第十章介電質薄膜SiO」、「TWI505431B」、「Casestudy填縫能力是藉由晶粒缺陷來評估」、「104|CVD中的PSG」、「ULSI超大型積體電路之低介電常數材料」、「低介電係數材料」、「化學氣相沉積與介電質薄膜」

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低介電常數材料之研究及其在深次微米金屬半導體積體電路之 ...
低介電常數材料之研究及其在深次微米金屬半導體積體電路之 ...

https://ir.nctu.edu.tw

主要探討的低介電質材料包括: Fluorosilicate glass (FSG), Carbon-doped organo-silicate glass(OSG) 及organo-fluorosilicate glass (OFSG);此外,當積體電路製程轉移至 ...

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台積電FSG製程良率已達商業量產程度
台積電FSG製程良率已達商業量產程度

http://www.ctimes.com.tw

據Digitimes報導,台積電近期已將第二代氟化玻璃(FSG)製程良率提高到商業量產程度,由於台積電FSGⅡ在低電介質係數(Low-K)已降到2.5~2.7,而競爭對手IBM仍面臨 ...

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則包含該關鍵詞出現在任一欄位(含基本資料及摘要)的所有計畫
則包含該關鍵詞出現在任一欄位(含基本資料及摘要)的所有計畫

https://www.grb.gov.tw

... FSG layer)之主動層特性改善技術,其FSG. 5. 應用於半導體新阻障層材料與製程研究(II). 計畫主持人: 李文熙系統編號:PB10107-0438年度:101當年度經費: 810 千元 關鍵 ...

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第十章介電質薄膜SiO
第十章介電質薄膜SiO

http://homepage.ntu.edu.tw

FSG. 34. PVD沈積Ta阻擋層與銅種晶層. Ta. FSG. Cu. Cu. Cu. FSG. FSG. SiN. Page 18. 35. 電化學鍍銅. FSG. Cu. SiN. Ta. FSG. Cu. Cu. FSG. 36. 銅與鉭CMP製程, CVD 氮化 ...

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TWI505431B
TWI505431B

https://patents.google.com

... FSG)、高密度電漿(high-density plasma,HDP)氧化物、或電漿輔助四乙氧基矽烷(plasma-enhanced TEOS,PETEOS)。亦可實施一平坦化步驟(例如一化學機械研磨步驟)以平坦化 ...

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Case study 填縫能力是藉由晶粒缺陷來評估
Case study 填縫能力是藉由晶粒缺陷來評估

https://www.cyut.edu.tw

由於半導體裝置密度的增加,積體電路(integrated circuit, IC)普遍包含了更多層次 ... FSG是一種含氟的氧化物,在氧化矽中加入氟會使介電質常數(dielectric constant)從 ...

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104|CVD中的PSG
104|CVD中的PSG

https://zhuanlan.zhihu.com

FSG:Fluorosilicate Glass,氟硅酸盐玻璃,是一种掺氟的硅酸盐玻璃。FSG的主要优点是它的介电常数较低(约3.6),比未掺杂氟的硅酸盐玻璃的介电 ...

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ULSI超大型積體電路之低介電常數材料
ULSI超大型積體電路之低介電常數材料

https://www.materialsnet.com.t

例如FSG(Fluorosilicate Glass)、. Black Diamond、Parylene、Fluorocarbon. 等皆為CVD 低介電材料;Hydrogen. Silsesquioxanes(HSQ) 、 Methyl. Silsesquioxanes、SiLK、 ...

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低介電係數材料
低介電係數材料

https://zh.wikipedia.org

低介電係數材料(low-K材料)是當前半導體行業研究的熱門話題。通過降低積體電路中使用的介電材料的介電係數,可以降低積體電路的漏電電流,降低導線之間的電容效應, ...

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化學氣相沉積與介電質薄膜
化學氣相沉積與介電質薄膜

http://140.117.153.69

的氧化物製程被廣泛地使用在半導體工. 業上,特別是在STI 和PMD 的應用上. • 傳送帶 ... • USG 和FSG 作為IMD 應用. USG 和FSG 作為IMD 應用. • PMD 作為PMD 應用. 65. Page ...