gidl原理
「gidl原理」熱門搜尋資訊
「gidl原理」文章包含有：「1.1環繞式閘極電晶體與多晶矽薄膜...」、「GIDL:定義」、「GIDL」、「MOS器件理论之–DIBL」、「MOS器件理论之–DIBL,GIDL（转）」、「MOS器件理论之–DIBL,GIDL（转）」、「半导体器件——GIDL篇」、「超薄閘氧化層低壓金氧半電晶體GIDL模型分析」、「閘極蝕刻與鰭式結構對於場效電晶體特性...」
查看更多
1.1 環繞式閘極電晶體與多晶矽薄膜 ...
https://ir.nctu.edu.tw
因此閘極電. 壓越負，或是汲極電壓增加，垂直電場越大， GIDL 漏電流就越高。 圖1-2、GIDL 偏壓下能帶圖。 圖1-3、GIDL 偏壓下空乏區域圖。 Page 7. 7. 1.3 短通道效應 ...
GIDL:定義
https://www.newton.com.tw
當柵漏交疊區處柵漏電壓VDG很大時，交疊區界面附近矽中電子在價帶和導帶之間發生帶帶隧穿形成電流，我們把這種電流稱之為GIDL 隧穿電流。隨著柵氧化層越來越薄，GIDL 隧穿 ...
GIDL
https://baike.baidu.hk
GIDL(gate-induced drain leakage) 是指柵誘導漏極泄漏電流，對MOSFET的可靠性影響較大。
MOS器件理论之–DIBL
http://blog.zy-xcx.cn
2) GIDL (Gate-Induced-Drain-Leakage)：栅感应漏极漏电流。我们通常讲MOSFET漏电流(Ioff)，都知道是漏源之间亚阈值漏电流，或者Drain到Well的PN结漏 ...
MOS器件理论之–DIBL, GIDL （转）
http://blog.iccourt.com
2) GIDL (Gate-Induced-Drain-Leakage)：栅感应漏极漏电流。我们通常讲MOSFET漏电流(Ioff)，都知道是漏源之间亚阈值漏电流，或者Drain到Well的PN结漏 ...
MOS器件理论之–DIBL, GIDL （转）
https://blog.zy-xcx.cn
2) GIDL (Gate-Induced-Drain-Leakage)：栅感应漏极漏电流。我们通常讲MOSFET漏电流(Ioff)，都知道是漏源之间亚阈值漏电流，或者Drain到Well的PN结漏 ...
半导体器件——GIDL篇
https://zhuanlan.zhihu.com
要有交叠，这也是GIDL管的来源),引起了耗尽区电子空穴分离，载流子跃迁，电子流向drain端，空穴被扫入基底，由此形成漏电流。 NMOS 中GIDL 图解（横向、 ...
超薄閘氧化層低壓金氧半電晶體GIDL模型分析
https://ndltd.ncl.edu.tw
... Gate-Induced Drain Leakage (GIDL). In this thesis, we investigate GIDL models with n-MOSFETs oxide thickness of 20 Å, 26 Å, and 50 Å, respectively. We show ...
閘極蝕刻與鰭式結構對於場效電晶體特性 ...
https://tdr.lib.ntu.edu.tw
... (gate-induced drain leakage)(GIDL)，. 發生於閘極電壓遠小於汲極電壓時的汲極空乏 ... 為放大器操作原理的示意圖。想像有一個電子元件的輸出電壓與輸入電壓的關係. 如圖 ...