hemt應用
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「hemt應用」文章包含有:「利用HEMT和PHEMT改善無線通訊電路中的增益、速度和雜訊」、「半導體元件HEMT的原理及應用」、「HEMT元件物語」、「高電子移動率電晶體」、「氮化鎵將廣泛用於下一代射頻應用」、「什麽是GaNHEMT?綜合指南和產品選型」、「GaNHEMT如何協助提高電源效率」、「應用於高功率電子之高電子遷移率氮化鎵電晶體其設計」、「增強型GaNHEMT的汲極電流特性」、「GaNHEMT功率裝置直流特性分析的挑戰」
查看更多![利用HEMT 和PHEMT 改善無線通訊電路中的增益、速度和雜訊](https://api.multiavatar.com/%E5%88%A9%E7%94%A8HEMT+%E5%92%8CPHEMT+%E6%94%B9%E5%96%84%E7%84%A1%E7%B7%9A%E9%80%9A%E8%A8%8A%E9%9B%BB%E8%B7%AF%E4%B8%AD%E7%9A%84%E5%A2%9E%E7%9B%8A%E3%80%81%E9%80%9F%E5%BA%A6%E5%92%8C%E9%9B%9C%E8%A8%8A.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
利用HEMT 和PHEMT 改善無線通訊電路中的增益、速度和雜訊
https://www.graser.com.tw
它們經常出現在商業、軍事、汽車以及航空航太工業應用中的高電壓和高功耗轉換器中。 由於2DEG 中的電子碰撞較少,HEMT 元件的雜訊係數非常低,使它們非常適合於在高達100GHz 的頻率範圍內工作的低雜訊放大器電路、振盪器和混合器。
![半導體元件HEMT的原理及應用](https://api.multiavatar.com/%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E5%85%83%E4%BB%B6HEMT%E7%9A%84%E5%8E%9F%E7%90%86%E5%8F%8A%E6%87%89%E7%94%A8.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
半導體元件HEMT的原理及應用
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高電子移動速度電晶體(HEMT:High Electron Mobility Transistor)簡稱為「HEMT」。HEMT的構造NMES 是很好的元件,但是仍然有許多缺點,例如:在砷化 ...
![HEMT元件物語](https://api.multiavatar.com/HEMT%E5%85%83%E4%BB%B6%E7%89%A9%E8%AA%9E.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
HEMT元件物語
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而HEMT從發明到應用,其中有幾件有趣且有意義的事,值得跟各位分享。 先談一件人類在星球探險上很重大的成就,在1940年代天文物理學家就計算出在80年代, ...
![高電子移動率電晶體](https://api.multiavatar.com/%E9%AB%98%E9%9B%BB%E5%AD%90%E7%A7%BB%E5%8B%95%E7%8E%87%E9%9B%BB%E6%99%B6%E9%AB%94+-+%E7%B6%AD%E5%9F%BA%E7%99%BE%E7%A7%91.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
高電子移動率電晶體
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高電子移動率電晶體(英語:High electron mobility transistor, HEMT ... 高電子移動率電晶體可以在極高頻下工作,因此在行動電話、衛星電視和雷達中應用廣泛。
![氮化鎵將廣泛用於下一代射頻應用](https://api.multiavatar.com/%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8E%B5%E5%B0%87%E5%BB%A3%E6%B3%9B%E7%94%A8%E6%96%BC%E4%B8%8B%E4%B8%80%E4%BB%A3%E5%B0%84%E9%A0%BB%E6%87%89%E7%94%A8.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
氮化鎵將廣泛用於下一代射頻應用
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目前最常見的GaN元件是用於建構放大器電路的GaN高電子遷移率電晶體(HEMT)。其中大多數GaN HEMT用於功率放大應用,然而,GaN HEMT和其他電晶體變體也 ...
![什麽是GaN HEMT?綜合指南和產品選型](https://api.multiavatar.com/%E4%BB%80%E9%BA%BD%E6%98%AFGaN+HEMT%EF%BC%9F%E7%B6%9C%E5%90%88%E6%8C%87%E5%8D%97%E5%92%8C%E7%94%A2%E5%93%81%E9%81%B8%E5%9E%8B.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
什麽是GaN HEMT?綜合指南和產品選型
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我們的GaN HEMT電晶體具有出色的動態導通電阻和最小電容,專為需要高速開關的應用而設計。EPC的HEMT元件具有更短的死區時間以實現更高的效率。您可體驗我們的HEMT電晶體的 ...
![GaN HEMT 如何協助提高電源效率](https://api.multiavatar.com/GaN+HEMT+%E5%A6%82%E4%BD%95%E5%8D%94%E5%8A%A9%E6%8F%90%E9%AB%98%E9%9B%BB%E6%BA%90%E6%95%88%E7%8E%87.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
GaN HEMT 如何協助提高電源效率
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因此非常適合汽車和鐵路機車牽引逆變器、大功率太陽能發電場和大型三相電網轉換器等應用。 相較之下,GaN HEMT 裝置的額定電壓通常為650 V,可促成10 kW ...
![應用於高功率電子之高電子遷移率氮化鎵電晶體其設計](https://api.multiavatar.com/%E6%87%89%E7%94%A8%E6%96%BC%E9%AB%98%E5%8A%9F%E7%8E%87%E9%9B%BB%E5%AD%90%E4%B9%8B%E9%AB%98%E9%9B%BB%E5%AD%90%E9%81%B7%E7%A7%BB%E7%8E%87%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8E%B5%E9%9B%BB%E6%99%B6%E9%AB%94%E5%85%B6%E8%A8%AD%E8%A8%88.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
應用於高功率電子之高電子遷移率氮化鎵電晶體其設計
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在過去幾年間,以氮化鎵(GaN)高電子遷移率電晶體(High Electron Mobility Transistors,HEMTs)所開發之高功率開關元件技術,已經有許多重大的突破。然而,由於GaN HEMT ...
![增強型GaN HEMT的汲極電流特性](https://api.multiavatar.com/%E5%A2%9E%E5%BC%B7%E5%9E%8BGaN+HEMT%E7%9A%84%E6%B1%B2%E6%A5%B5%E9%9B%BB%E6%B5%81%E7%89%B9%E6%80%A7.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
增強型GaN HEMT的汲極電流特性
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GaN HEMT可以採用兩種不同的結構開發出來,包括金屬-絕緣層-半導體(MIS)結構和閘極注入電晶體(GIT)結構。MIS結構具有受電壓驅動的小閘極漏電流,而GIT ...
![GaN HEMT 功率裝置直流特性分析的挑戰](https://api.multiavatar.com/GaN+HEMT+%E5%8A%9F%E7%8E%87%E8%A3%9D%E7%BD%AE%E7%9B%B4%E6%B5%81%E7%89%B9%E6%80%A7%E5%88%86%E6%9E%90%E7%9A%84%E6%8C%91%E6%88%B0.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
GaN HEMT 功率裝置直流特性分析的挑戰
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具體而言,氮化鎵(GaN). 裝置已普遍用於高速應用,包括消費產品和高功率使用. 案例,因為GaN 裝置運作速度非常快、效率高,同時. 還封裝在小型結構中。然而,直流I-V 特性 ...