i-line曝光機
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ASML i
http://compotechasia.com
ASML的12吋i-Line曝光機具備成熟而高效率的微影技術，適合處理相對較大的晶片電路結構，且因擁有強大效能及低成本等優點，因此日益受到晶片製造商的歡迎。
Ch 6
http://homepage.ntu.edu.tw
I-line. 365. 0.35 to. 0.25. XeF. 351. XeCl. 308. 準分子雷. 射. KrF. (DUV). 248. 0.25 to ... TMAH ((CH3)4NOH). Page 9. 9. 17. 晶圓軌道機-步進機整合系統. 加熱平板.
I
http://www.deya.com.tw
若您是用在量產線，建議您使用1000W 6吋方曝光機，I-line光強度約40mW/cm2，曝光時間約4秒鐘。
NDL I
https://www.tsri.org.tw
整個破片線曝光流程包括: priming HMDS → 手動塗佈光阻→ prebake → 曝光→ P.E.B. → 顯影→ H.B.. < 注意事項>. 1. 破片平台只負責曝光，其他製程user需自行負責.
半導體光阻材料技術
https://www.materialsnet.com.t
微影製程由G-line 436 nm/I-line 365 nm、KrF 248 nm、ArF 193 nm，到EUV 13.5 nm不同光源波長的演進，除了仰賴曝光機設計與製造技術工藝的精進外，配合 ...
半導體用光阻劑之發展概況
https://www.moea.gov.tw
依曝光的光源不同，光源可區分為紫外線(UV)、深紫外線(Deep UV；DUV)和超紫外線(Extreme UV；EUV)三種。和紫外線搭配的為g-line(436nm)和i-line(365nm)光 ...
微型化步進式曝光系統
https://www.tiri.narl.org.tw
曝光機光源透過廣波域抗反射鏡片降低重複曝光的問題，並經由i-line、h-line. 濾光片進行濾光後，可提供所需且穩定之曝光光源波長，用以提高微影製程之. 良 ...
曝光源問題
http://www.deya.com.tw
Q. 請問我的光阻有I-line與H-line兩種，請問你們有適合的曝光源嗎? 我們的標準曝光源，波長範圍為NUV(Near UV)含有I-line， H-line， G-line三個光束，適用你們的需求 ...
產業脈動
https://www.automan.tw
其中EUV曝光機2020年到2025年的市場成長率高達20%以上。曝光設備依照光源波長，可分成五大類： I-line (365奈米)、KrF (248奈米)、ArF (193 ...