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查看更多IGBT(絕緣閘極雙極性電晶體)
https://www.rohm.com.tw
IGBT是輸入端為MOSFET構造、輸出端為BIPOLAR構造的元件,採用複合式構造,除了為使用電子和電洞這二種載體的雙極性元件外,也是同時具備低飽和電壓(相當於功率MOSFET ...
什么是IGBT?
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IGBT是一种适合高电压、大电流应用的理想晶体管。IGBT的额定电压范围为400V至2000V,额定电流范围为5A至1000A(*1),IGBT广泛用于工业应用( ...
什麼是IGBT?
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IGBT是“Insulated Gate Bipolar Transistor”的第一個字母的縮寫,中文名稱是“絕緣閘雙極電晶體”。透過結合MOSFET和雙極電晶體,IGBT成為同時具備這兩種 ...
絕緣柵雙極晶體管
https://zh.m.wikipedia.org
絕緣柵雙極電晶體(英語:Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT),是半導體器件的一種,主要用於電動車輛、鐵路機車及動車組的交流電電動機的輸出控制。
絕緣閘雙極電晶體
https://zh.wikipedia.org
絕緣柵雙極電晶體(英語:Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT),是半導體器件的一種,主要用於電動車輛、鐵路機車及動車組的交流電電動機的輸出控制。
绝缘栅双极晶体管
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變頻又省電,電動車重要靈魂IGBT!
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IGBT(絕緣柵雙極晶體管),(Insulated Gate Bipolar Transistor,下稱IGBT),向來有電力電子CPU的稱號,為一種功率開關元件,是由BJT(雙極性接面電晶體)和MOSFET(金氧 ...