igbt原理

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它就像家里的电灯开关，只不过是由电信号控制，能承受几十到几百伏电压、几十到几百安电流的强电，每秒钟开关频率最高可达几万次。 IGBT的雏形是二极管， ...

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IGBT導通電流有兩個路徑：一個是電洞由P+跑到N-中與由MOS Channel跑來的電子結合產生電流。另一個路徑是電洞由P+穿過N-，直接跑到P-Base，而把流經MOS的電流當作是 ...

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當向閘極外加正VGE時，電子⊖聚集在閘極電極正下方的P+層中並形成通道。這與MOSFET導通的原理基本相同。因此，從IGBT的射極供給的電子沿N+層⇒通道⇒ N- ...

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IGBT是由MOSFET和GTR技术结合而成的复合型开关器件，是通过在功率MOSFET的漏极上追加p+层而构成的，性能上也是结合了MOSFET和双极型功率晶体管的优点。N+区称为源区，附于 ...

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IGBT 技術及工作原理. IGBT元件看上去或許更像一個PNP型雙極型電晶體,. 它可以通過 ... 單個IGBT 可以替代並聯的多個MOSFET 或者任何超大. 型的單個MOSFET,釋放多餘的材料 ...

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正如“什麼是IGBT”一文中所介紹的，透過MOSFET和雙極電晶體相結合，使IGBT成為同時具備這兩種元件優點的功率電晶體。下面以目前主流的N通道IGBT為例， ...

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IGBT是輸入端為MOSFET構造、輸出端為BIPOLAR構造的元件，採用複合式構造，除了為使用電子和電洞這二種載體的雙極性元件外，也是同時具備低飽和電壓（相當於功率MOSFET的低 ...

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