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monos半導體

「monos半導體」文章包含有:「TWI642144B」、「《半導體》台積電偕瑞薩,開發28奈米微控制器」、「氮化二氧化鈦作為電荷捕捉層在非揮發性記憶體中之研討」、「氮化層」、「瑞薩與台積電合作28奈米微控制器支援自駕車」、「瑞薩電子成功開發鰭狀MONOS快閃記憶體單元」、「瑞薩電子與台積公司合作開發支援新世代環保汽車與自動駕駛車...」、「瑞薩電子與台積公司攜手打造微控制器設計生態環境」、「瑞薩電子與台積電攜手40奈米製程技術合作」

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TWI642144B
TWI642144B

https://patents.google.com

例如,作為非揮發性記憶體,存在形成由使用了MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor,金屬-氧化物-氮化物-氧化物-半導體)膜的分裂閘極型的記憶體單元的態樣。此 ...

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《半導體》台積電偕瑞薩,開發28奈米微控制器
《半導體》台積電偕瑞薩,開發28奈米微控制器

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透過此次合作,瑞薩具備高可靠性及高速優勢的金屬氧化氮氧化矽(MONOS)eFlash技術,將結合台積公司高效能、低功耗的28奈米高介電層金屬閘製程技術 ...

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氮化二氧化鈦作為電荷捕捉層在非揮發性記憶體中之研討
氮化二氧化鈦作為電荷捕捉層在非揮發性記憶體中之研討

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... MONOS元件製程。研究中使用精密阻抗分析儀量測元件電容-電壓與耗散係數(Dissipation factor)-電壓特性曲線;半導體參數分析儀量測元件電流-電壓特性曲線,並以脈衝產生 ...

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氮化層
氮化層

https://ndltd.ncl.edu.tw

近年來,在半導體產業中,記憶體元件的發展已成為另一主流。其中,屬於非揮發性型態的快閃式記憶體因其具有高密度特性、良好的資料保存能力和重複抹寫功能而被廣泛地 ...

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瑞薩與台積電合作28奈米微控制器支援自駕車
瑞薩與台積電合作28奈米微控制器支援自駕車

https://www.2cm.com.tw

透過此次合作,瑞薩具備高可靠性及高速優勢的金屬氧化氮氧化矽(MONOS)eFlash技術,將結合台積電高效能、低功耗的28奈米高介電層金屬閘製程技術,生產全球 ...

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瑞薩電子成功開發鰭狀MONOS快閃記憶體單元
瑞薩電子成功開發鰭狀MONOS快閃記憶體單元

https://www.digitimes.com.tw

瑞薩電子成功開發採用鰭狀電晶體的分離閘金屬氧氮氧矽(SG-MONOS)快閃記憶體單元,適用於電路線寬僅16至14奈米(nm)或更精細的微控制器(MCU)製程, ...

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瑞薩電子與台積公司合作開發支援新世代環保汽車與自動駕駛車 ...
瑞薩電子與台積公司合作開發支援新世代環保汽車與自動駕駛車 ...

https://pr.tsmc.com

全新的「SG-MONOS」型快閃記憶體能夠實現MCU高可靠性、高速、以及低功耗的優勢。 關於瑞薩電子瑞薩電子株式會社(TSE:6723)以完整的半導體解決方案提供可 ...

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瑞薩電子與台積公司攜手打造微控制器設計生態環境
瑞薩電子與台積公司攜手打造微控制器設計生態環境

https://pr.tsmc.com

此外,藉由將此MONOS製程平台提供給遍佈全球的其他半導體供應商,包括無晶圓廠(Fabless)公司及整合元件製造商(IDM),瑞薩電子與台積公司將致力於建置 ...

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瑞薩電子與台積電攜手40奈米製程技術合作
瑞薩電子與台積電攜手40奈米製程技術合作

https://www.mem.com.tw

此外,藉由將此MONOS製程平台提供給遍布全球的其他半導體供應商,包括無晶圓廠(Fabless)及整合元件製造商(IDM),瑞薩電子與台積電將致力於建置一個設計 ...