phase shift mask原理
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「phase shift mask原理」文章包含有：「IC光罩應用介紹及其未來發展」、「【光刻】相移掩模PhaseShiftMask(PSM)」、「光罩」、「光罩工業及其製程技術之探討」、「半導體產業的製程技術，隨世代持續演進，中華凸版提供的光罩...」、「用於次25奈米極紫外光曝光機之新穎反射型衰減式相位移光罩」、「發展下一世代環保微影光罩結構材料」、「相位移光罩技術與半導體微影製程」、「相轉移光罩技術」、「第一章緒論」
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IC光罩應用介紹及其未來發展
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1982年IBM Mr. David Levenson發明 了相位移光罩，主要的原理是利用相鄰 光束的電場相位移180度，形成破壞性干 涉(Destructive interference)，使得空間影 像(Aerial ...
【光刻】相移掩模Phase Shift Mask (PSM)
http://www.chipmanufacturing.o
相移掩模（Phase Shift Mask, PSM）是同时利用光线的强度和相位来成像，得到更高分辨率的一种分辨率增强技术[1]。 相移掩模种类很多，其改善光刻分辨力的 ...
光罩
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PSM為Phase Shift Mask(相位差光罩)，膜種由原本Cr膜變更為Phase Shift膜，以下簡稱PS膜。 此材料特點在於當光線經過glass及PS膜後其波長會有180度的相位反轉，利用此相位 ...
光罩工業及其製程技術之探討
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相位移光罩是利用不同相位的光源，來消除光之干射及繞射現象，主要功能為提高解析度、及景深（Depth of Focus；簡稱DOF），從而增加微影製程的Process Latitude，被應用在 ...
半導體產業的製程技術，隨世代持續演進，中華凸版提供的光罩 ...
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基於藉由電子束微影技術的電路圖案，光罩圖案在使用的空白基板上形成。而光罩是通過蝕刻、光阻剝離、清洗、測量和檢驗製程。
用於次25 奈米極紫外光曝光機之新穎反射型衰減式相位移光罩
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相位移光罩(phase-shifting-mask) 是目前一種極為重要的解析度增益技術，它將被應用於未來. 的極紫外光(EUV) 微影術中，以製作25 nm 以下的圖案。
發展下一世代環保微影光罩結構材料
https://ir.lib.nycu.edu.tw
3. 無鉻膜式相位移光罩(Chrome-less Phase-Shifting Mask). 無鉻膜式相位移光罩的原理是利用石英作為相位移層材料取代. 鉻膜來定義圖案輪廓，此外，由於反相干涉，相位移層 ...
相位移光罩技術與半導體微影製程
http://www.naipo.com
半導體微影製程的原理是在晶片上覆蓋一層感光材料，使來自光源的平行 ... (Phase Shifting Mask)方面的發明創見對於改良半導體微影製程技術之卓越 ...
相轉移光罩技術
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即在一般光罩上 使用相轉移材料，使 相鄰之透光區的光相 位差為180°，藉以形 成較好（較大）之光 強度對比。 在透光區之兩邊 各開一小區之透光區（無法在晶片上成 像）， ...
第一章緒論
https://ir.lib.nycu.edu.tw
相移圖罩(Phase Shift Mask, PSM). 入射光透過圖罩相移層與非相移層二者之光幅產生π相位. Page 2. 2. 差，形成破壞性干涉，如圖1-2。主要以空間頻率調變與邊. 端強化二大 ...