sram原理

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SRAM 記憶細胞結構由Q1～Q4 的MOS-FET 組成R-S 正反器儲存1bit 資料. 一個完整SRAM 電路還須配合定址解碼電路、讀/寫控制電路 ... A-7 × 2mS. 6-2-2 DRAM工作原理 ...

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簡言之，6T-SRAM 的讀或寫都要打開word line。寫的動作是利用外部電壓源強力改變bit-cell 的內容。(由外影響內) 讀的動作則是將外部BL ...

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SRAM是靜態存儲方式，以雙穩態電路作為存儲單元，SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由於存儲單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。工作原理. SRAM ...

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SRAM存储器和DRAM存储器1、 SRAM存储器的工作原理通常把存放一个二进制的物理器件称为存储元，它是存储器的最基本构件。地址码相同的多个存储元构成 ...

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SRAM基本单元由两个CMOS反相器组成。两个反相器的输入、输出交叉连接，即第一个反相器的输出连接第二个反相器的输入 ...

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元件原理＜SRAM＞. 儲存單元構造. 由6個電晶體單元組成; 由4個電晶體單元（高阻抗負載型單元） ...

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转帖：6T SRAM的運作原理 ... 連接到M5 和M6 的gate 的訊號一般稱之為word line (縮寫成WL)，是用來控制SRAM bit-cell ... 當WL 為1 時，SRAM bit-cell 則可以讀或寫。

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