usg psg半導體
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化學氣相沉積與介電質薄膜
http://140.117.153.69
– 通常是未摻雜的矽玻璃（PSG）或硼磷矽玻璃（. BPSG）. – 溫度由熱積存所限制. • 金屬層間介電質層（ Inter-metal dielectric ）: IMD. – USG or FSG. – 通常沉積約在400 ...
第十章介電質薄膜SiO
http://homepage.ntu.edu.tw
CMP PSG, W. CMP USG, W. CMP USG, W. CMP USG. W. CMP USG. CMOS IC. 16. 導電薄膜. • Poly-Si-gate electrode. • 金屬矽化物–gate electrode. • 鋁合金-conducting lines.
TWI579963B
https://patents.google.com
在一些實施方式中，鈍化層115可包含一或多層之二氧化矽、未參雜矽玻璃(undoped silicon glass，USG)、氮化矽(SiN)、氮氧化矽(SiON)、矽酸磷玻璃(PSG)、聚苯并噁唑 ...
TWI505431B
https://patents.google.com
... USG)、氟矽玻璃(fluorinated silicate glass，FSG)、高密度電漿(high-density plasma，HDP)氧化物、或電漿輔助四乙氧基矽烷(plasma-enhanced TEOS，PETEOS)。亦可實施 ...
Ch10 Chemical Vapor Deposition and Dielectric
http://homepage.ntu.edu.tw
半導體. SiCl2H2 (DCS). Si (epi). SiCl3H (TCS). SiCl4 (Siltet). LPCVD. SiH4, O2. SiO2 ... CVD USG. 溝槽填充. CMP USG. USG退火. Si. Si. Si. Si. Si. 剝除氮化矽. 與 ...
Ch13 Process Integration
http://homepage.ntu.edu.tw
N-Well. P-Well n+. STI p+ p+. USG. W. PSG n+. USG. USG. Copper. 28. 銅之CMP, PECVD氮化矽. P型磊晶層. P型晶圓. N型井區. P型井區 n+. STI p+ p+. USG. 鎢. PSG n+.
第一章緒論
https://ir.nctu.edu.tw
IMD Oxide (USG). SiO2(s) + P2O5(s) + B2O3(s) + 2H2(g). PSG. TEOS + TMP + O2(g). BPSG ... 半導體製程大量使用電漿製程，因為電漿可以提供易於控制之能量型式，以符合.
半導體製程學習筆記
https://hackmd.io
以CVD方式沉積磷矽玻璃PSG(用來捕捉Na、K等鹼金族離子)後再CMP平坦化形成ILD ... (2) 沉積USG，進行Via-1微影與蝕刻後移除光阻。 (3) 以PVD方式沉積Ta作為黏合層 ...
Case study 填縫能力是藉由晶粒缺陷來評估
https://www.cyut.edu.tw
此研究主要使用六標準差方法去減少IMD製程的缺陷，並且達到最佳化的製程績效。 以一個在台灣的半導體製造公司做為案例，去證實六標準差方法是可行的。
零基礎入門晶片製造行業-
https://kknews.cc
23. PMD為何使用PSG or BPSG ; 答：用磷來摻雜氧化矽有兩個重要的理由，可以捕捉可移動的鈉離子以及減少矽玻璃的加熱回流溫度。 ; 24. 何謂IMD (位置請參考 ...