介電質薄膜
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Ch10 Chemical Vapor Deposition and Dielectric
http://homepage.ntu.edu.tw
PMD: 金屬沈積前的介電質層;. STI: 淺溝槽絕緣;. LDD: 低摻雜汲極;. ILD:金屬層間介電 ... ▫ 本質應力是在薄膜成核與成長製程期間產生的. ▫ 異質應力是因為薄膜與基片間的 ...
Chapter 10 化學氣相沉積與介電質薄膜
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介電質薄膜的應用. • 多層金屬連線中當做電氣隔離的介電質層. - 金屬沉積前的介電質層(PMD). - 金屬層間介電質層(IMD). • 淺溝槽絕緣(STI). • 側壁空間層. • 鈍化保護介電 ...
低介電常數薄膜之檢測與製程整合技術探討
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這些對於低介電常數薄膜的特性. 要求不外乎是針對電性特質、物理性. 質以及化學性質等三方面進行評量。 以下將就一些常見的材料特性檢測技. 術進行探討。 低介電常數薄膜之 ...
全介電質複合薄膜光學模擬及特性分析技術
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本文介紹多層結構薄膜色度與物理參數變化模擬及鍍膜開發，設計複合薄膜以玻璃/(HL)PH/空氣為主結構，利用各層結構變化可調控青色、橘色、紫色色度。全介電質膜層堆疊結構 ...
化學氣相沉積與介電質薄膜
http://140.117.153.69
確認至少四種化學氣相沉積(CVD) 的應. 用. • 描述CVD 製程順序. • 列舉兩種沉積區並描述它們和溫度之間. 的關係. • 列舉兩種介電質薄膜. 舉出兩種最常使用在介電質化學 ...
國立陽明交通大學機構典藏：雙層介電質薄膜之電阻式記憶體之 ...
https://ir.nctu.edu.tw
本篇論文中，透過雙層介電質薄膜之電阻式記憶體，利用薄膜不同堆疊的順序來提升元件與元件之間的電性均勻度以及增加資料儲存密度。 首先，本論文研究氮化鈦TiN / 有或無鈦 ...
多孔性二氧化矽薄膜表面電漿改質在奈米積體電路超低介電材料 ...
https://ir.nctu.edu.tw
圖3- 4 負荷─壓痕位移關係圖。 3.2.4 介電特性. 低介電常數材料薄膜之介電性質量測主要由半導體電壓-電容(C-V)及電流-電壓. (I-V)量測結果所測得。介電常數(ε,dielectric ...
物理氣相沉積之二氧化鉿(HfO2)薄膜的特性研究
https://ir.nctu.edu.tw
摘要本論文在探討高介電常數介電質薄膜二氧化鉿(HfO2)的製備與研究，藉由不同的沉積結構、電極材料、前處理方式及沉積後退火處理，來研究其對二氧化鉿薄膜性質的影響， ...
第十章介電質薄膜SiO
http://homepage.ntu.edu.tw
介電質薄膜. SiO. 2. , Si. 3. N. 4. 2. 氧化矽. 氮化矽. USG. W. P型晶圓. N型井區. P型井區 ... 電質層; PMD: 金屬沈積前的介電質層;. STI: 淺溝槽絕緣; LDD: 低摻雜汲極; ...
雙層介電質薄膜之電阻式記憶體之研究
https://ndltd.ncl.edu.tw
本篇論文中，透過雙層介電質薄膜之電阻式記憶體，利用薄膜不同堆疊的順序來提升元件與元件之間的電性均勻度以及增加資料儲存密度。 首先，本論文研究氮化鈦TiN / 有或無鈦 ...