分子束磊晶原理

1.1 InAsGaAs 量子點材料介紹

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MBE教學影片

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分子束磊晶(MBE)

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原理簡介： ... 分子束磊晶是利用加熱欲鍍材料提高其蒸氣壓，蒸氣分子在超高真空(10 -10torr以下)的環境下，以直線行進不與其他分子碰撞的情況下前進到基板之上，形成緻密的 ...

分子束磊晶

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在固體源的分子束磊晶過程中，諸如鎵、砷的元素，會以超純（ultra-pure）的形式在獨立的石英克努森容器（Knudsen Cell）中被加熱，直到它們開始緩慢昇華。然後，這些氣態 ...

分子束磊晶成長系統構造圖

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原理：. 分子束磊晶（MBE，Molecular Beam Epitaxy）為一種長晶技術，主要是用來成長品質優良之半導體、金屬或是絕緣體薄膜。薄膜成長時，處於一個非熱平衡狀態，其 ...

分子束磊晶成長系統簡介

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而最早利用. 發射室(Effusion Cell)中產生原子分子束在NaCl上磊. 晶生長PbS大概是分子磊晶的開始。早期成長V-VI. 族化合物薄膜成功的因素,大體可歸因於使用合適的. 基底 ...

分子束磊晶技術之發展與磁性薄膜之製備應用

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其工作原理是利. 用蒸鍍物質沉積於石英晶體時造成質量的變化，因. 而改變了石英振盪器的振動頻率dν。由以下之關. 係式可得出蒸鍍物質的厚度：. 其中ρf 為蒸鍍物之密度，ρ ...

化合物半導體之分子束磊晶技術

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取代，便稱為化學束磊晶或有機金屬分子束磊晶. (MOMBE)。由於有機金屬含碳，其化學束一般未. 經裂解便直接射入基板，靠基板的溫度裂解脫去有. 機基以形成磊晶薄膜。因此這 ...

電漿輔助式分子束磊晶應用於氮化鎵的成長

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本文將介紹電漿輔助式分子束磊晶的基本儀器構造與磊晶原理，以及筆者利用國立中山大學之電漿輔助式. 分子束磊晶系統，所成長之高品質氮化鋁鎵氮化鎵(AlGaN/GaN) 異質結構。