原子層沉積原理

ALD

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原子層沉積(Atomic Layer Deposition，ALD)最早稱為原子層磊晶(Atomic Layer Epitaxy，ALE)，ALD也是一種化學氣相沉積技術(CVD)，與傳統CVD的差異在於：ALD是將一個傳統CVD ...

原子層沉積

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原子層沉積的主要反應物有兩種化學物質，通常被稱作前驅物。前驅產物和材料表面發生連續的，自限性的反應。薄膜通過分別和不同的前驅產物進行反應緩慢沉積。原子層 ...

原子層沉積之前驅物技術

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... 沉積(CVD)及物理氣相沉積(PVD)等技術漸漸無法滿足需求，而原子層沉積(ALD)具有高階梯覆蓋率(幾乎100%)、高厚度均勻性及原子 ... ALD製程原理. ALD可分為兩個 ...

原子層沉積技術之發展與應用

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本文將詳細介紹ALD 製程的原理，並根據筆者多年的經驗，. 由製程機制與設備設計等不同的觀點，探討各項影響薄膜沉積結果的關鍵因素。除此之外，本文 ...

原子層沉積系統(Atomic Layer Deposition

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設備原理：. 原子層沉積（Atomic Layer Deposition, ALD）係藉由表面獨特自我侷限反應來成長高階梯覆蓋與大面積均勻性之薄膜。可用於奈米級或原子級 ...

原子層沉積系統原理及其應用

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原子層沉積系統設計概念與應用

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在本文中我. 們將介紹原子層沉積技術的原理、發展及機台設計的概念，並討論在半導體產業、功能性鍍. 膜與奈米結構鍍膜之應用。 The atomic layer deposition (ALD) is ...

薄膜沉积丨原子层沉积（ALD）技术原理及应用

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原子层沉积(Atomic Layer Deposition, ALD)是一种基于化学气相沉积(CVD) 的高精度薄膜沉积技术，是将物质材料以单原子膜的形式基于化学气相一层一层的沉积在衬底表面的 ...

越薄越好，3D薄膜製程大挑戰：淺談原子層沈積技術

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原子層沈積(Atomic Layer Deposition, ALD) 是一種可以將材料一層一層成長的薄膜製程技術，一般常見的ALD製程由四個步驟組成，以成長材料AB為例(圖一)，(a)首先將含有A成分 ...