原子層沉積技術
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ALD
https://zh-tw.dahyoung.com
原子層沉積(Atomic Layer Deposition，ALD)最早稱為原子層磊晶(Atomic Layer Epitaxy，ALE)，ALD也是一種化學氣相沉積技術(CVD)，與傳統CVD的差異在於：ALD是將一個 ...
原子層沉積
https://zh.wikipedia.org
原子層沉積（英文：Atomic layer deposition）是一種可以將物質以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學沉積（化學氣相沉積）有相似之處 ...
原子層沉積之前驅物技術
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ALD製程中，前驅物分子會於基材表面反應形成單層薄膜，因此在分子的設計上需要有高反應性、高熱穩定性、低副產物殘留等要素，才能有效應用於ALD領域。
原子層沉積技術之發展與應用
https://www.tiri.narl.org.tw
原子層沉積技術(atomic layer deposition, ALD) 是當今半導體製程中非常受到重視與仰賴之奈米超薄膜. (ultrathin film) 沉積技術。ALD 製程技術可以將 ...
原子層沉積系統
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原子層沉積（Atomic Layer Deposition, ALD）是可以被用來替換CVD、電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)和濺鍍技術的新製程。原子層沉積也是化學氣相沉積技術(CVD)的一種，其 ...
原子層沉積系統(Atomic Layer Deposition
https://cptft.mcut.edu.tw
原子層沉積（Atomic Layer Deposition, ALD）係藉由表面獨特自我侷限反應來成長 ... 可用於奈米級或原子級薄膜沉積，調控超薄薄膜優異特性之先進鍍膜技術。
原子層沉積系統原理及其應用
https://www.tiri.narl.org.tw
原子層沉積(atomic layer deposition, ALD) 技術. 是在1970 年代由芬蘭的Tuomo Suntola 博士和他. 的工作團隊(1) 為了製作高品質、大面積的電致發光.
原子層沉積系統設計概念與應用
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原子層沉積技術是以前驅物氣體與基板表面所產生的交互反應進行薄膜成長，其優點為精密. 的厚度與成分控制與大面積均勻鍍膜，所以被視為半導體製程重要的前瞻技術。在 ...
越薄越好，3D薄膜製程大挑戰：淺談原子層沈積技術
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原子層沈積(Atomic Layer Deposition, ALD) 是一種可以將材料一層一層成長的薄膜製程技術，一般常見的ALD製程由四個步驟組成，以成長材料AB為例(圖一)，(a)首先將含有A成分 ...