崩潰電壓半導體
「崩潰電壓半導體」熱門搜尋資訊
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崩潰電壓
https://zh.wikipedia.org
崩潰電壓,是使某一絕緣介質在一段時間內成為導體所需加入的電壓的最低值。當加於某一絕緣介質的電壓足夠高時,這時該絕緣介質便會發生電擊穿,使電流可以通過。
![繼電器規格書裡的崩潰電壓"Breakdown Voltage" 是什麼意思?](https://api.multiavatar.com/%E7%B9%BC%E9%9B%BB%E5%99%A8%E8%A6%8F%E6%A0%BC%E6%9B%B8%E8%A3%A1%E7%9A%84%E5%B4%A9%E6%BD%B0%E9%9B%BB%E5%A3%93%26quot%3BBreakdown+Voltage%26quot%3B+%E6%98%AF%E4%BB%80%E9%BA%BC%E6%84%8F%E6%80%9D%3F.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
繼電器規格書裡的崩潰電壓"Breakdown Voltage" 是什麼意思?
https://www.relay.com.tw
繼電器規格書中的崩潰電壓(Breakdown Voltage)是指在繼電器中通過的電壓超過其額定電壓時,繼電器失去絕緣能力而發生放電的電壓值。 當繼電器在正常操作時,它能夠承受其 ...
![第三代半導體的展望與迷思](https://api.multiavatar.com/%E7%AC%AC%E4%B8%89%E4%BB%A3%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E7%9A%84%E5%B1%95%E6%9C%9B%E8%88%87%E8%BF%B7%E6%80%9D.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
第三代半導體的展望與迷思
https://ncusec.ncu.edu.tw
功率半導體有兩個最重要的物理參數,一個是電子的移導率也就是速度/電流,另一個就是能隙(bandgap)了,能隙決定了半導體的崩潰電場,也就是能承受住多大的 ...
![二極體](https://api.multiavatar.com/%E4%BA%8C%E6%A5%B5%E9%AB%94-+%E7%B6%AD%E5%9F%BA%E7%99%BE%E7%A7%91%EF%BC%8C%E8%87%AA%E7%94%B1%E7%9A%84%E7%99%BE%E7%A7%91%E5%85%A8%E6%9B%B8.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
二極體
https://zh.wikipedia.org
... 崩潰,發生急遽的電流增加。開始產生這種擊穿現象的(逆向)電壓被稱為崩潰電壓。超過崩潰電壓以後逆向電流急遽增加的區域被稱為擊穿區(崩潰區)。在擊穿區內,電流在 ...
![探討金屬雜質對閘極氧化層崩潰電壓的影響與改善](https://api.multiavatar.com/%E6%8E%A2%E8%A8%8E%E9%87%91%E5%B1%AC%E9%9B%9C%E8%B3%AA%E5%B0%8D%E9%96%98%E6%A5%B5%E6%B0%A7%E5%8C%96%E5%B1%A4%E5%B4%A9%E6%BD%B0%E9%9B%BB%E5%A3%93%E7%9A%84%E5%BD%B1%E9%9F%BF%E8%88%87%E6%94%B9%E5%96%84.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
探討金屬雜質對閘極氧化層崩潰電壓的影響與改善
https://ir.lib.nycu.edu.tw
因此以下將分. 別對金屬氧化半導體、崩潰電壓以及清洗製程來加以說明。 2.1.1 金屬氧化半導體場效電晶體的構造、原理與特性. 要知道氧化層在半導體製程中的角色與重要性 ...
![介電崩潰](https://api.multiavatar.com/%E4%BB%8B%E9%9B%BB%E5%B4%A9%E6%BD%B0.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
介電崩潰
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介電崩潰(electrical breakdown),或稱介電擊穿,指的是加在介質上的電壓超過擊穿電壓(擊穿的最低臨界電壓下)後,絕緣體的電阻迅速下降,繼而使得 ...
![TWI556426B](https://api.multiavatar.com/TWI556426B+-+%E5%85%B7%E6%9C%89%E6%8F%90%E9%AB%98%E4%B9%8B%E5%B4%A9%E6%BD%B0%E9%9B%BB%E5%A3%93%E7%9A%84iii%EF%BC%8Dv%E9%9B%BB%E6%99%B6%E9%AB%94.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
TWI556426B
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如以上之描述,在給定的電晶體崩潰電壓之下縮小電晶體間距,或在給定的間距(及/或相關聯之給定的閘極到汲極間隔距離或長度)之下提高崩潰電壓係有利的。在一實施例中,氮化 ...
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崩潰電壓
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崩潰電壓,是使某一絕緣介質在一段時間內成為導體所需加入的電壓的最低值。當加於某一絕緣介質的電壓足夠高時,這時該絕緣介質便會發生電擊穿,使電流可以通過。
![元件可靠度](https://api.multiavatar.com/%E5%85%83%E4%BB%B6%E5%8F%AF%E9%9D%A0%E5%BA%A6.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
元件可靠度
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電層崩潰,我們通常使用加速測試的方. 法,即使用比元件在正常工作環境下還嚴. 苛的條件(高溫度高電壓)去測試,然後. 在反推回在正常工作環境下可使用的時. 間,即一般 ...
![高崩潰電壓氮化鋁鎵氮化鎵金屬](https://api.multiavatar.com/%E9%AB%98%E5%B4%A9%E6%BD%B0%E9%9B%BB%E5%A3%93%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8B%81%E9%8E%B5%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8E%B5%E9%87%91%E5%B1%AC-%E7%B5%95%E7%B7%A3%E5%B1%A4-%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E5%A0%B4%E6%95%88%E9%9B%BB%E6%99%B6%E9%AB%94+....png?apikey=viVnb6N20jclO8)
高崩潰電壓氮化鋁鎵氮化鎵金屬
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本論文主要為探討利用MOCVD磊晶的方式來提升其金屬-絕緣層-半導體場效電晶體之截止區崩潰特性。首先藉由增加緩衝層厚度的方式提升其元件截止區特性,在氮化鎵緩衝層 ...