崩潰電壓半導體
「崩潰電壓半導體」熱門搜尋資訊
崩潰電壓
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崩潰電壓，是使某一絕緣介質在一段時間內成為導體所需加入的電壓的最低值。當加於某一絕緣介質的電壓足夠高時，這時該絕緣介質便會發生電擊穿，使電流可以通過。
繼電器規格書裡的崩潰電壓"Breakdown Voltage" 是什麼意思?
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繼電器規格書中的崩潰電壓（Breakdown Voltage）是指在繼電器中通過的電壓超過其額定電壓時，繼電器失去絕緣能力而發生放電的電壓值。 當繼電器在正常操作時，它能夠承受其 ...
第三代半導體的展望與迷思
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功率半導體有兩個最重要的物理參數，一個是電子的移導率也就是速度/電流，另一個就是能隙(bandgap)了，能隙決定了半導體的崩潰電場，也就是能承受住多大的 ...
二極體
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... 崩潰，發生急遽的電流增加。開始產生這種擊穿現象的（逆向）電壓被稱為崩潰電壓。超過崩潰電壓以後逆向電流急遽增加的區域被稱為擊穿區（崩潰區）。在擊穿區內，電流在 ...
探討金屬雜質對閘極氧化層崩潰電壓的影響與改善
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因此以下將分. 別對金屬氧化半導體、崩潰電壓以及清洗製程來加以說明。 2.1.1 金屬氧化半導體場效電晶體的構造、原理與特性. 要知道氧化層在半導體製程中的角色與重要性 ...
介電崩潰
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介電崩潰(electrical breakdown)，或稱介電擊穿，指的是加在介質上的電壓超過擊穿電壓(擊穿的最低臨界電壓下)後，絕緣體的電阻迅速下降，繼而使得 ...
TWI556426B
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如以上之描述，在給定的電晶體崩潰電壓之下縮小電晶體間距，或在給定的間距(及/或相關聯之給定的閘極到汲極間隔距離或長度)之下提高崩潰電壓係有利的。在一實施例中，氮化 ...
崩潰電壓
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崩潰電壓，是使某一絕緣介質在一段時間內成為導體所需加入的電壓的最低值。當加於某一絕緣介質的電壓足夠高時，這時該絕緣介質便會發生電擊穿，使電流可以通過。
元件可靠度
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電層崩潰，我們通常使用加速測試的方. 法，即使用比元件在正常工作環境下還嚴. 苛的條件（高溫度高電壓）去測試，然後. 在反推回在正常工作環境下可使用的時. 間，即一般 ...
高崩潰電壓氮化鋁鎵氮化鎵金屬
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本論文主要為探討利用MOCVD磊晶的方式來提升其金屬-絕緣層-半導體場效電晶體之截止區崩潰特性。首先藉由增加緩衝層厚度的方式提升其元件截止區特性，在氮化鎵緩衝層 ...