氮化鎵半導體
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SiC vs GaN：寬能隙半導體的不同世界
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在解釋每種半導體技術與需求相互匹配的領域時，Witham表示，以功率級來看，矽適於20W及以下的應用，GaN適用於20W至100kW，SiC則適用於100kW至300kW及以上 ...
快充怎麼做到又小又快？ 半導體材料氮化鎵，突破工作頻率 ...
https://pansci.asia
顯然，氮化鎵擁有更良好的電特性，還能在高頻、高電壓的環境下工作，使用氮化鎵為材料的快充頭因此誕生！氮化鎵最高的工作頻率是1000K，是矽的10 倍，除了讓變壓器的電感 ...
氮化鎵
https://zh.wikipedia.org
氮化鎵（GaN、Gallium nitride）是氮和鎵的化合物，是一種III族和V族的直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。此化合物結構類似纖鋅礦， ...
氮化鎵GaN是什麼？有哪些特性和優勢？
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氮化鎵（GaN）是一種堅硬且非常穩定的第三代半導體材料，可以在高溫和高電壓下，進行長時間的運作。另外，以氮化鎵（GaN）製成的晶片特色之一就是閥極切換 ...
氮化鎵（GaN）何去何從? 氮化鎵市場、應用與未來
https://epc-co.com
矽基板氮化鎵（GaN-on-silicon）和碳化矽(SiC)都是寬頻隙半導體解決方案，它們能夠比單獨的矽承受更高的電壓，更高的頻率，並集成更多的產品。這些因素導致了碳化矽和氮化 ...
氮化鎵（GaN）真的是黑科技，還是行銷噱頭？
https://myinnergie.com
氮化鎵（GaN）是一種堅硬且非常穩定的第三代半導體材料，可以在高溫和高電壓下，進行長時間的運作。另外，以氮化鎵（GaN）製成的晶片特色之一就是閥極 ...
甚麽是氮化鎵？氮化鎵（GaN）半導體詳解
https://epc-co.com
氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且在機械方面非常穩定的寬能隙半導體材料。由於具有更高的擊穿强度、更快的開關、更高的熱導率和更低的導通電阻，氮化鎵基功率元件明顯比 ...
第三代半導體商機發光，台廠奮起摘星
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氮化鎵主要用在中壓領域、約600伏特的產品，一部分會與矽材料的市場重疊，但氮化鎵有很好的移動性，適用在頻率高的產品，此特性在基地台、5G通訊相關...等高速產品具優勢。
第三代半導體氮化鎵(GaN)發展趨勢？聽聽全球市占前幾大廠 ...
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氮化鎵除了耐高電壓、耐高溫、低電阻，還擁有出色的導電性和導熱性，體積小、能耗也小，使其在變壓器和充電器等領域中得到了廣泛的應用。
連台積電都搶進！第三世代半導體材料– 氮化鎵GaN是什麼？
https://techteller.com
雖然氮化鎵是半導體材料，但只用於光電、通訊射頻及電源功率元件，所以手機及電腦的處理器及顯示卡這些產品並不會使用氮化鎵作為材料，而是繼續使用傳統的 ...