碳化矽MOSFET
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SiC-MOSFET的特徵
https://www.rohm.com.tw
SiC-MOSFET比Si-MOSFET的漂移層電阻低，另一方面現在的技術水準由於MOS通道部分的移動度低，通道部的電阻與Si元件相比則變高。 為此，高閘極電壓越低越能得到導通電阻(Vgs= ...
使用SiC MOSFET的好處是什麼？
https://toshiba.semicon-storag
SiC MOSFET在高溫環境下具有優異的工作特性，與IGBT相比，可簡化現有散熱措施。此外，由於開關損耗非常低，系統可在比IGBT開關可支援頻率更高的頻率下運行。如能提高開關 ...
第三代SiC MOSFET 提供高效能
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與純矽元件相比，碳化矽MOSFET 具有多種優勢；第三代元件克服了早期產品的缺點。
從原理到實例：詳解SiC MOSFET如何提高電源轉換效率
https://www.ctimes.com.tw
矽MOSFET有一個較小的「尾」電流，充當阻尼器或緩衝器，可在某種程度上減少過衝和暫態振盪。SiC MOSFET沒有這種尾電流，因此漏極電壓過衝和暫態振盪可能較高並造成問題。要 ...
所謂SiC
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SiC-MOSFET元件本身（晶片）的內部閘極電阻Rg依賴於柵電極材料的薄層電阻和晶片尺寸。如果是相同設計，則與晶片尺寸成反比，晶片越小閘極電阻越高。同等 ...
LSIC1MO170E1000
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Littelfuse公司推出其首款1700V碳化矽MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化矽MOSFET器件組合。最終使用者將受益於更加緊湊節能的系統以及潛在更低的總體擁有成本。
拓緯推出3300V SiC 碳化矽光耦合MOSFET 繼電器
https://www.relay.com.tw
此產品可負載高達3300伏的電壓，耐電流達500mA，為常開型的碳化矽半導體式光耦合繼電器。AN53使用特殊形式封裝，除了讓腳位能更容易取代磁簧繼電器，也大幅提升了絕緣性與 ...
Microchip Technology 碳化矽(SiC) MOSFET
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與傳統的矽(Si)功率MOSFET相比，Microsemi/Microchip碳化矽(SiC) MOSFET具有良好的動態及熱性能。這些MOSFET具有低電容、低閘極電荷、快速開關速度及良好的高雪崩耐受 ...
1200V 30mΩ SiC MOSFET 離散式元件(ADR030B12MC)
https://www.actron.com.tw
1200V 30mΩ SiC MOSFET 離散式元件(ADR030B12MC) · 標準TO-247-4引腳封裝 · 電壓: 1200V RDSon: 30mΩ · 內建SiC MOSFET碳化矽(碳化硅)晶片 · 極高速開關速率 · 低開關損耗 ...