磊晶半導體

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包括SiC在內的第三代半導體產業鏈包括基板→磊晶→設計→製造→封裝，SiC元件成本高的一大原因就是SiC基板製造困難… 第三代半導體也稱為寬能隙(WBG)半導體 ...

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單晶成長–磊晶( Epitaxy Layer Growth ). 磊晶矽薄膜的純度高、缺陷少、性質佳，但其製程溫度最高、難度最高，因此在元件應用上. 有其限制，一般用在積體電路製程最 ...

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磊晶. • 希臘字源. • epi: 往上. • taxy: 有次序的, 排列的. • 磊晶層為一生長在單晶基片上單晶層. → 基片和上層間存在一特定之晶體關係.

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磊晶用於在半導體製造中創造完美的矽晶體基底層，以便在晶體基底層上建構半導體元件、沉積具電性的晶體薄膜，或改變底層的機械特性以改善導電性。

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基本上﹐異質結構半導體是利用特殊的磊晶技術﹐將不同種類的單晶元素逐層地建構起來。其原理有點類似砌疊層層的磚塊﹐只不過這些磊晶技術中的“磚塊”僅有 ...

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磊晶（英語：Epitaxy），是指一種用於半導體元件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱磊晶成長（Epitaxial Growth），或指以磊晶 ...

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總而言之，磊晶技術是許多半導體元件的根基，尤其是光電元件。而膜應變的管制與紓解更是此技術的重要一環。要專精此技術，需要對於材料的機械性質與表面 ...

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磊晶是指透過在原有的基板上，長出薄薄一層結晶，以達到強化工作效能的目標。通常在磊晶過程中，會經過2個步驟：先在基板表面沉積化學物質，而後才會在 ...