空乏區寬度公式
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有學半導體物理的脆友知道為什麼二極體參雜濃度上升時
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至於空乏區大小，可以從Poisson equation一路推出Depletion width會跟摻雜濃度成負相關，當摻雜濃度越高，空乏區會越小。 Vbi=kTln(NaNd/ni^2），其中NaNd為摻雜的雜質濃度，所以參雜濃度上升Vbi也會上升，劉明彰大神教我的。
pn 接面2. 二極體的電流電壓特性
http://faculty.ndhu.edu.tw
xd 空乏區寬度. Page 4. 中興大學孫允武. 應用電子學. 4. 對電子而言，電位能E= -qV ... 空乏區之寬度....... +. = D. A. D. A bi d. NN. N. N q. V x. Si. 2ε.
第1 章(1.7~1.12) 電子學與半導體
https://aries.dyu.edu.tw
它的極性將多數載. 子(p-型區的電洞與n-型區的自由電子)推向接面，. 並使空乏區的寬度減少。 ... ▫ 接面電容的公式可寫成更一般. 的型式，其中m為一常數，稱. 為漸變係數.
pn接面
https://zh.wikipedia.org
空乏厚度的降低可以從電荷分布曲線上推斷。 在順向偏壓電壓的外電場作用下，N區的電子與P區的電洞被推向pn接面。 這降低了空乏區的空乏寬度。
pn接面二極體的動作原理
http://pub.tust.edu.tw
當電源之電位能可以完全克服PN接面的電位障壁時，則電流會明顯上升。 空乏區的寬度會隨著順向電壓的上升而減少。
單元13 空乏層與電容
https://www.youtube.com
至於空乏區大小，可以從Poisson equation一路推出Depletion width會跟摻雜濃度成負相關，當摻雜濃度越高，空乏區會越小。 Vbi=kTln(NaNd/ni^2），其中NaNd為摻雜的雜質濃度，所以參雜濃度上升Vbi也會上升，劉明彰大神教我的。
今日進度電子學
https://home.gamer.com.tw
空乏區離子分佈(離子數是平衡的)，Wn*A*NA=Wp*A*ND，其中濃度與空乏區寬度呈現反比 ... 和一個重要的公式(ID=Is e^(VD/VT)-1). 後面推疊代法的公式會用 ...
空乏層
https://zh.wikipedia.org
空乏層（英語：depletion region），又稱空乏區、阻擋層、勢壘區（barrier region），是指PN接面中在漂移運動和擴散作用的雙重影響下載子數量非常少的一個高電阻區域。
二極體
http://w3.phys.nthu.edu.tw
如果把在接面附近空乏區電洞電子相中和的部分也考慮. 進去，上式應改為. I = Io(e ... 前面公式計算電容。 7.最後算出各逆向偏壓的接面電容值。因為. Cj µ (Vr+VB).