聯電製程技術

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14 奈米

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聯華電子的14 奈米FinFET 技術，性能亦已達先進製程的業界競爭水準，速度較28 奈米增快55％，閘密度則達兩倍。此外，其功耗更較28 奈米減少約50％。

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28 奈米

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聯電28HPC / HPC+ 技術廣泛支援各種元件選項，以提升彈性及符合效能需求，同時針對多樣的產品系列，例如應用產品處理器、手機基頻、WLAN、平板電腦、FPGA 及網通IC 等 ...

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55 65 90 奈米

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聯電55 奈米標準效能製程(55SP) 係為90% 微縮65 奈米製程(65SP)，可提供客戶更小的晶片尺寸，同時以相近或更低的功率維持相同的效能。此外，亦提供相容於產業標準製程的低 ...

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BCD

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BCD (Bipolar - CMOS - DMOS) 技術可提供最高100V 工作電壓的電源IC 設計，從而實現出色的能效和高度集成，將類比電路、數位內容以及功率元件和嵌入式NVM 結合在一起。

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RF Technologies

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聯電的mmWave 技術解決方案提供極佳的速度和性能。對於資通訊、汽車及工業類應用，聯華電子可根據客戶特定的產品要求提供全方面的製程。

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成熟製程技術

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聯電成熟製程技術包含了廣泛的解決方案,諸如Logic / MS、RFCMOS、RFSOI、 eHV、BCD、CIS 、 eFlash、 eE2PROM 等. 不同製程亦可搭配靜態隨機存取記憶體(SRAM) 與 ...

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特殊製程

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聯電的BCD 技術節點範圍從0.5um 到55nm，器件產品包括低壓MOS、高壓DMOS，混合信號和類比元件，被動元件以及嵌入式非揮發性存儲器(NVM)，涵蓋了所有電子應用，例如消費品、 ...

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總覽

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聯電擁有尖端的製程技術，涵蓋廣泛的IP 組合，完備的系統知識以及先進的12 吋晶圓製造技術，能在最有效的時間內提供完整解決方案，以確保客戶的成功。

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聯電18 年來最大轉型計畫：承認弱點、放棄先進製程

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回顧過去15 年的時間，聯電股價未受市場太多青睞，直到去年才又重新擦亮招牌，其中一個原因，就是當年大膽放棄先進製程的決定。

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製程技術

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邏輯製程 ... 邏輯/ 混合信號/ 射頻技術是數位電視、藍牙、Wi-Fi、影像處理器，射頻收發器等眾多應用中最常用的晶圓代工解決方案。聯電為不同的數據處理、混合信號及射頻元件 ...

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