雪崩崩潰原理
「雪崩崩潰原理」熱門搜尋資訊
雪崩光偵測器結構設計Structure design of Avalanche photodiode
https://tdr.lib.ntu.edu.tw
崩潰(Breakdown)： 當PN 接面電場增大到某程度時，雪崩產生(Avalanche generation非常劇烈，使得崩 潰倍增增益(Avalanche multiplication gain趨近無窮大，此時只要有載子電流流進倍增 (Multiplication層便會造成極大的電流可被量測到，此稱為崩潰( ...
什麼是雪崩崩潰失效
https://techweb.rohm.com.tw
當外加高於BVDSS的高電場時，自由電子被加速並帶有很大的能量。這會導致碰撞電離，從而產生電子-空穴對。這種電子-空穴對呈崩潰式增加的現象稱為“雪崩 ...
雪崩二極體
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雪崩二極體（avalanche diode）是設計在特定逆向電壓下，會突崩潰的二極體，其材料會用矽或是其他半導體材料。雪崩二極體的接合面會經特別設計，避免電流集中及所產生 ...
突崩潰
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突崩潰（英語：Avalanche breakdown），是指對一些絕緣體或半導體施加足夠的電壓時，流過它們的電流突然增大。這主要與金屬原子外自由運動的電子有關。
雪崩二极管的工作原理
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雪崩二极管能以多种模式产生振荡，其中主要有碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)模式，简称崩越模式。其基本工作原理是：利用半导体PN结中载流子的碰撞电离和渡越 ...
什么是雪崩倍增效应？
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雪崩倍增效应的原理是利用了半导体PN结中的电子和空穴的雪崩效应。当反向电压达到一定程度时，电子和空穴会获得足够的能量，使得它们能够撞击晶格中的原子 ...
雪崩二極管
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雪崩二極管（avalanche diode）是設計在特定反向電壓下，會突崩潰的二極管，其材料會用矽或是其他半導體材料。雪崩二極管的接合面會經特別設計，避免電流集中及所產生 ...
雪崩光偵測器之電性分析及蓋格模式 ...
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雪崩光偵測器可操作在接近崩潰. 電壓(Breakdown Voltage)的偏壓，利用衝擊游離造成的有限倍增因子來放大光. 訊號，稱之為線性模式(linear mode)操作。也可以操作在超過崩潰 ...
齐纳崩溃与雪崩分解之间的差异
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齐纳的掺杂是沉重的，而雪崩是低的。 · 齐纳的反向电位低，而雪崩很高。 · 齐纳的温度系数为负，而雪崩是阳性的。 · 齐纳的电离是由于电场，而雪崩是碰撞。 · 齐纳的温度系数为 ...