RCA clean：6吋化學清洗蝕刻工作站標準製程爐管前清洗區製件

6吋化學清洗蝕刻工作站標準製程爐管前清洗區製件

RCAClean:SPM→QDR→DHF→QDR→SC-1→QDR→SC-2→QDR→DHF→QDR→SPINDRY.一般高溫及高真空製程前的清洗/欲成長的膜厚100Å以上.STDClean:SC-1→QDR→SC-2 ...。其他文章還包含有：「300mm單晶圓濕洗系統之介紹與應用」、「RCAclean」、「RCAClean制程」、「RCAClean製程」、「RCA」、「最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wetchemistry)」、「辛耘知識分享家」

查看更多離開網站

Provide From Google

300mm 單晶圓濕洗系統之介紹與應用

http://ecaaser5.ecaa.ntu.edu.t

使用AM-1溶. 液可在同一清洗步驟中有效的清除微粒與金. 屬雜質,無需SC-2清洗,它可以取代RCA. 製程,並提高清洗的速度,在300mm 單晶圓. Oasis Clean 系統的反應室裏,僅需2 ...

Provide From Google

RCA clean

https://en.wikipedia.org

The RCA clean is a standard set of wafer cleaning steps which need to be performed before high-temperature processing steps (oxidation, diffusion, ...

Provide From Google

RCA Clean制程

https://www.gptc.com.tw

湿式蚀刻技术的优点在于其制程简单、成本低廉、蚀刻选择比高且产量速度快。湿式蚀刻机制： 1.一般是利用氧化剂将蚀刻材料氧化，再利用适当的酸将氧化后的材料溶解于水中。

Provide From Google

RCA Clean製程

https://www.gptc.com.tw

濕式蝕刻技術的優點在於其製程簡單、成本低廉、蝕刻選擇比高且產量速度快。濕式蝕刻機制： 1.一般是利用氧化劑將蝕刻材料氧化，再利用適當的酸將氧化後的材料溶解於水中。

Provide From Google

RCA

https://www.inrf.uci.edu

RCA-1 clean is used to remove organic residues from silicon wafers. In the process, it oxidizes the silicon and leaves a thin oxide on the surface of the wafer, ...

Provide From Google