cmp製程：化學機械平坦化
化學機械平坦化
Ch12 Chemical Mechanical Polishing
http://homepage.ntu.edu.tw
▫ 襯墊直接影響CMP製程之品質. ▫ 襯墊材料: 在製程溫度內需具耐用、可再生及. 可壓縮. ▫ 製程需求: 高形貌選擇性以達到表面平坦化. Page 4. 4. 7. CMP研磨漿. ▫ 研磨漿 ...
CMP
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為了達成此目的，晶片製造商使用名為化學機械平坦化(CMP) 的製程。 化學機械平坦化會移除晶圓正面的多餘材料並進行平坦化，方法是透過在晶圓背面施加精確的下壓力，將 ...
CMP化學機械研磨
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在半導體製程中，晶圓上不斷的經過沉積→曝光→顯影→蝕刻，而堆砌出一層層的微電路（如下方影片）；然而，若每層微電路都凹凸不平，勢必影響層間的 ...
CMP是什麼意思？製程深入介紹，清楚瞭解技術與原理！
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所謂的「CMP」，意為「化學機械研磨，Chemical-Mechanical Polishing」的縮寫。是指使用研磨劑（Slurry），將晶圓減薄或是鏡面化的一道工藝。一般在半導體 ...
化學機械研磨廢水相關處理技術
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在CMP的製程上所使用的研磨液主要是由呈膠體狀的二氧化矽. 或呈分散狀的氧化鋁，以及鹼性的KOH 或NH4OH等溶液混合而. 成。CMP 研磨對象不同時，其所需使用的研磨液亦有所 ...
化學機械研磨製程機上量測技術
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目前CMP製程皆採用離線方式進行拋光墊表面量測，其方式有超音波量測[3]、接觸式探針量測[4]、核磁共振影像量測[5]如圖3所示等技術，主要透過量測拋光墊的表面形貌，進一步 ...
化學研磨(CMP)
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化學拋光研磨(CMP) 是一種強大的製造技術，利用化學氧化和機械磨損來去除材料並實現非常高水平的平面度。 化學機械平坦化已廣泛應用於選擇性去除半導體製造中的形貌 ...
第十二章化學機械研磨
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• 當CMP 製程接近終點，研磨襯墊會開始接. 觸並研磨底層. • 摩擦力開始改變. • 為 ... • 藉監視馬達電流改變可找出CMP製程終端. 點. 14. 銅CMP製程的馬達電流輸出. 時間 ...