二極體逆向飽和電流公式：二極體
二極體
Ch. 05 二極體特性02
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‧漏電流主要是由存在於二極體兩 區(n區及p區)內之少數載子移動 所引起。 ‧少數載子的存在是因為由熱能/Heat 所產生的電子－電洞對。 ‧因為溫度決定了電子－電洞對的數量 ，故漏電流也受到溫度的影響。 ：二極體逆向飽和電流(鍺=數µA，矽=數nA) e：自然指數的底數(e ≒ 2.718……)
pn接面二極體的動作原理
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：pn二極體的接面電流。 ：pn二極體的的偏壓。正值代表順向偏壓，負值代表逆向偏壓。 ：反向飽和電流。 (每上升10℃，反向飽和電流增加一倍)。 ：(鍺：1； 電流 ...
pn接面二極體的電流電壓特性
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一般而言，pn接面二極體的電流-電壓特性可以用下式表示：. (. )1. /. −. = T. D ... pn二極體在逆向偏壓可以用作電壓控制的可變電容. Page 11. 應用電子學3-27. 中興物理 ...
二極體模型
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逆向飽和電流正比於二極體的橫截面面積。其餘符號的意思： V T -displaystyle V ... 時，該公式可以簡化為：. I ≈ I S ⋅ e V D / ( n V T ) -displaystyle I ...
二極體的特性
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Is為逆向飽和電流（Reverse Saturation Current），當. 加在二極體上的電壓V為負時，eq.1中之exp(qV/ηkBT)∼0，∴I=-Is，故名之。η. 為理想參數，和二極體所用的材料和 ...
矽二極體的逆向飽和電流IS值會增為兩倍，則當溫度..
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17 若溫度每增高10°C，矽二極體的逆向飽和電流IS值會增為兩倍，則當溫度增高40°C，IS會增為： (A) 4 倍 (B) 8 倍 (C)16 倍 (D)32 倍.
認識二極體及電晶體特性曲線
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I. =逆偏下的反向飽和電流，因為BC 接面反偏，使空乏區加寬之故，所以並. Page 5. 無擴散電流生成，只有逆偏飽和電流(屬偏移電流)。 nC. I =從射極來的電子流(≒ C. I )； ...
飽和電流
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飽和電流，或者更精確的說，反向飽和電流是半導體二極體中由少數載流子從中立區到耗盡層或耗盡區的擴散引起的那部分反向電流。反向飽和電流幾乎不受反向電壓的影響。