teos製程：第十章介電質薄膜SiO
第十章介電質薄膜SiO
TEOS 處理設備
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TEOS在室溫常壓下為液態，為了方便CVD製程的使用及製程的穩定性，在使用時對裝盛TEOS的容器加熱(約在40～70℃左右)，以增加其飽和蒸氣壓，以便於以氣態使用TEOS於CVD的 ...
a. TEOS OX 製程b. W Polish 製程
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故在多層導線結構製程之IMD與ILD介電層平坦化及鎢金屬栓塞(W plugs)之製作，以CMP取代傳統以乾式蝕刻回蝕法，不但可確保晶圓表面之平整度且製程簡化，大幅提昇製程良率。
化學氣相沈積於IC製程之應用
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其沈積之. SiOz大幅提升Step-Coverage,而以TEOS及O,. 反應形成之APCVDO-TEOS Oxide幾可達. 100%之Step-Coverage,解決了次微米製程孔. 洞之瓶頸,如圖二及表三。 PECVD ...
四乙氧基矽烷
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四乙氧基矽烷（英語：tetraethoxysilane，經常縮寫為TEOS）是一種化合物，常態下為液體，其化學式為Si(OC2H5)4。四乙氧基矽烷分子可以認為是原矽酸根（SiO44−）與4個 ...
化學氣相沉積與介電質薄膜
http://140.117.153.69
確認至少四種化學氣相沉積(CVD) 的應. 用. • 描述CVD 製程順序. • 列舉兩種沉積區並描述它們和溫度之間. 的關係. • 列舉兩種介電質薄膜. 舉出兩種最常使用在介電質化學 ...
以低溫電漿輔助化學氣相沉積TEOS SiO2薄膜之應力特性研究
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以矽酸四乙酯(TEOS)材料在低溫的電漿輔助化學氣相沉積法成長出具有高密度和低應力的SiO2薄膜。針對幾項製程參數包括鍍膜壓力、氧氣流量、TEOS 流量、高低射頻的功率及 ...
製程參數對複晶矽TEOS介電層特性之影響
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在此論文中，我們探討利用N2O或N2氣體快速熱火的TEOS介電層特性和利用離子佈值進去底層複晶矽電極以氟化的TEOS介電層特性。 對於非發性記憶體，為了擁有好的資料儲存特性， ...
Precursor for CVD.ALD Deposition
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TEOS 是一種含氧的Si 前驅物，用於沉積矽. 氧化物、矽氧烷聚合物、有機矽薄膜。 3 ... 塗層。 ✓ 可做低溫製程. ✓ 沉積緻密. ✓ 具有原子級的精準度. ✓ 極佳的階梯 ...
水平爐管個別原理
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TEOS(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate) 四氧乙基矽酯或正矽酸乙酯，室溫常. 壓下 ... 二氧化矽在VLSI 製程應用廣泛，從MOS 製程第一個Mask 開始。 只不過在CMOS 元件的 ...