hemt中文：利用HEMT 和PHEMT 改善無線通訊電路中的增益、速度和雜訊
利用HEMT 和PHEMT 改善無線通訊電路中的增益、速度和雜訊
HEMT和PHEMT結構將移動載流子與摻雜離子物理隔離，並防止光學聲子和離子化雜質造成潛在的散射問題。讓我們深入瞭解一下HEMTs和PHEMTs的結構。HEMTs和PHEMTs用於 ...。其他文章還包含有：「高電子移動率電晶體」、「HEMT元件物語」、「增強型GaNHEMT的汲極電流特性」、「什麽是GaNHEMT？綜合指南和產品選型」、「高电子迁移率晶体管」、「甚麽是氮化鎵？氮化鎵（GaN）半導體詳解」、「HEMT」、「氮化矽閘極介電層MIS」
查看更多 離開網站ByCadence本文要點高電子遷移率電晶體(Highelectronmobilitytransistors，HEMTs)和應變式異質接面高遷移率電晶體(pseudomorphichighelectronmobilitytransistors，PHEMTs)因其獨特的、可提高性能的特點而大受歡迎在HEMT結構中，高電子遷移率是由於摻雜的寬頻半導體與未摻雜的窄帶隙半導體並列在一起造成的HEMT和PHEMT常見於行動電話、衛星電視接收器、雷達和低雜訊放大器用於無線通訊放大器和轉換器的有源器件需要具備高增益、高速度和低雜訊的特點。當用於放大器和轉換器的元件表現出這些增強的特性時，系統的性能會自動提升。在毫米...
高電子移動率電晶體
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高電子移動率電晶體（英語：High electron mobility transistor, HEMT），也稱調變摻雜場效電晶體（modulation-doped FET, MODFET）是場效應電晶體的一種，它使用兩種具有不同能隙的材料形成異質結，為載子提供通道，而不像金屬氧化物半導體場效電晶體那樣，直接使用摻雜的 ...
HEMT元件物語
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HEMT (high electron mobility transistor)，中文譯為「高電子移導率電晶體」，在人類的科技史上是一個很重要的發明。電子在半導體內跑得越快， ...
增強型GaN HEMT的汲極電流特性
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基於氮化鎵(GaN)的增強型高電子遷移率電晶體(HEMT)可以採用兩種不同的結構開發出來。這兩種增強型結構是金屬-絕緣層- ...
什麽是GaN HEMT？綜合指南和產品選型
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與傳統矽基電晶體相比，氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)具有多項基本優勢。GaN HEMT具有非常高的電子遷移率，無論是在開關速度、耐高溫和功率處理能力方面都表現 ...
高电子迁移率晶体管
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高电子迁移率晶体管（英语：High electron mobility transistor, HEMT），也称调制掺杂场效应管（modulation-doped FET, MODFET）是场效应晶体管的一种，它使用两种 ...
甚麽是氮化鎵？氮化鎵（GaN）半導體詳解
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氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且在機械方面非常穩定的寬能隙半導體材料。由於具有更高的擊穿强度、更快的開關、更高的熱導率和更低的導通電阻，氮化鎵基功率元件明顯比 ...
HEMT
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高電子遷移率電晶體(High Electron Mobility Transistor；HEMT) 又名調變摻雜場效應管(modulation-doped FET；MODFET)，主要是以砷鎵鋁或砷化鎵等 ...
氮化矽閘極介電層MIS
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中文. 論文頁數: 76. 論文摘要氮化鎵與其他材料相比具有寬能隙、高崩潰電場、高電子飽和速度等優點，對於高功率、高頻及光學的應用上，氮化鎵是個非常良好的材料。 金半 ...