浮閘記憶體：3C電子產品不可缺的靈魂技術–浮閘記憶體
3C電子產品不可缺的靈魂技術–浮閘記憶體
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【積體電路60週年】施敏與浮閘記憶體
https://case.ntu.edu.tw
施敏於1968年研發出「浮閘記憶體效應」，並製作出第一個非揮發式記憶體(Non-volatile semiconductor memory，NVSM)，影響半導體產業甚鉅。
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二硫化鉬奈米碟於浮閘記憶體的應用
https://www.tiri.narl.org.tw
二硫化鉬奈米碟於浮閘記憶體的. 應用. The Application of MoS2 Nanodisks in. Floating Gate Memory. 戴漢翔、蘇楊淵、王哲麒、賴朝松.
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浮柵金屬氧化物半導體場效應電晶體
https://zh.wikipedia.org
FGMOS作為可程式充電元件時，通常用於非易失性存儲器中：如快閃記憶體、EPROM和EEPROM存儲器。在這類應用中，FGMOS能夠在不連接電源的情況下長時間存儲電荷，因此十分有用 ...
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浮閘記憶體
https://ejournal.stpi.narl.org
非揮發性記憶體就是在資料儲存之後，. 當無電力供應時，資料仍可穩定長期地保留著。 而非揮發性記憶體的核心技術鼻祖是浮閘. 非揮發性記憶體（floating-gate NVM） ...
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疫情肆虐半導體之父施敏教授研發的「浮閘記憶體」再引起 ...
https://www.techlife.com.tw
日前於電子元件學會新聞報以「微電子技術的精髓：從浮閘和電荷缺陷概念到兆位元快閃記憶體」為題，大篇幅以圖文並茂闡述施敏與姜大元的重要技術發現。指出 ...
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第一章序論
https://ir.nctu.edu.tw
EEPROM是一種利用浮動閘極(Floating gate)來儲存電荷，達到記憶效果的一種記憶. 體。Floating gate簡稱FG，FG被介電質，例如絕緣體二氧化矽SiO2所包圍著，下面的介. 電層稱 ...