Floating gate MOSFET:浮柵金屬氧化物半導體場效應電晶體

浮柵金屬氧化物半導體場效應電晶體

浮柵金屬氧化物半導體場效應電晶體

浮柵金屬氧化物半導體場效應電晶體(Floating-gateMOSFET,簡稱浮柵MOSFET或FGMOS)是一種場效應電晶體,其結構類似傳統的金屬氧化物場效應電晶體(MOSFET)。。其他文章還包含有:「Floatinggate」、「FloatingGateTechniquesandApplications」、「Floating」、「Floating-gateMOSFET」、「Floating-GateTransistor」、「Whatisafloatinggatetransistor?」

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