ald機台：ALD
ALD
ALD 設備與產業展望
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ALD 具有極佳鍍膜覆蓋性與厚度控制，已逐. 漸應用於28 nm 節點以下半導體元件製程，且在. 可預見未來ALD 將在半導體扮演產業更重要，因. 此一線半導體設備廠與終端客戶無不 ...
ALD機台
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每部ALD都具備6個腔體位置，與EFEM高度整合 · 可依客戶需求選擇腔體配置，高度客製化 · 可選配treatment chamber，有效進行ALD deposition的pre-treatment or post ...
Powder ALD機台
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可選配ozone generator，有更多氧化源選擇 · 特殊流場設計，帶動powder揚起 · 特殊加熱器提供均勻的腔體溫度 · 可支援3組precursor / co-precursor管路 · 可應用於粉末包覆 ...
原子層沉積系統
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原子層沉積（Atomic Layer Deposition, ALD）是可以被用來替換CVD、電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)和濺鍍技術的新製程。原子層沉積也是化學氣相沉積技術(CVD)的一種，其 ...
原子層沉積系統(ALD)設備簡介
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− 機台型號：Aixtron Genus Stratagem 200。 − 晶片尺寸：200mm。 − 八吋晶片載盤可提供6 吋、4 吋及破片晶片之製程。
天虹ALD薄膜製程半導體業神隊友
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台灣第一家成功開發「量產型」ALD薄膜製程設備的本土設備商－天虹科技（6937）日前舉辦上市前業績發表會，該公司主要為全球半導體各大晶圓代工製造廠 ...
批次ALD(原子層)鍍膜設備
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平面單片/卡夾多片之LOAD-LOCK CST IN/OUT 高產量製程設備. 加熱與電漿化學氣相沈積雙鍍膜方案,可獲得高均勻性與保型性的超薄薄膜. 100% 保型,精確的厚度控制, ...
矽碁科技股份有限公司
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原子層沉積（ALD）為一種氣相化學沉積技術。大多數的ALD反應，將使用兩種化學物質稱為前驅物。這些前驅物以連續且自限的方式與材料表面進行反應。 · 厚度均匀度（WIW）：.