si熱膨脹係數：矽
矽
GaN on Si 磊晶技術應用於發光二極體與功率元件現況
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由於GaN與Si基板之間熱膨脹係數差異遠較其與Al2O3大(34%)，這將造成GaN磊晶薄膜於生長結束後之降溫過程中，會因張應力過大而產生晶片彎曲及龜裂現象， ...
Si3N4 氮化矽基板
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單晶氮化矽的理論導熱率可達400W/(m·K），具有成為高導熱基片的潛力。此外氮化矽的熱膨脹係數為3.0X10^(-6)/左右，與si,sic,和GaAs等材料匹配良好，這使得氮化矽陶瓷將 ...
Si晶体基片
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化学符号为Si,主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等 ... 热膨胀系数（/k):. 2.6×10-6. 生长方法：. CZ和FZ. 产品规格. 常规晶向：. 、、. 常规 ...
氮化矽(Si3N4)
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氮化矽陶瓷藉由其優異的材料特性，如：硬度及機械強度高、熱膨脹係數小、高溫潛變小、抗氧化性能好、耐腐蝕、自潤滑、高破斷韌性等諸多優異性能，在精密機械、冶金、航空航太 ...
氮化硅（Si 3 N 4 ）
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氮化硅（Si3N4）. 氮化硅是共价键和性高的物质，是在高温强度特性、耐氧化特性 ... 热膨胀系数×10-6/K, 耐热冲击性. K, 热传导率. W/m・K, 电气电阻值Ω・cm, 绝缘耐力 kV ...
热膨胀系数
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热膨胀系数×10-6/°C(40-400°C); 特点; 用途. 堇青石 <CO210>. 2MgO·2Al2O3·5SiO2, Low High, <|0.1| (22~23°C). 热膨胀小，耐热冲击性卓越. 的产品示例堇青石 · 氮化硅 < ...
熱脹冷縮
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每上升單位溫度的相對膨脹率（膨脹幅度與原大小之比）稱為熱膨脹係數（英語：coefficient of thermal expansion，簡稱CTE），數值越大代表熱膨脹效應越顯著。此系數亦會隨溫度改變 ...
矽晶圓
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又，Si之熱膨脹係數為3.59×10 -6/K，與此相對，GaN之熱膨脹係數為5.59×10 -6/K。