mosfet飽和區公式：CH08 場效電晶體

第5 章金氧半場效電晶體(MOSFETs)

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圖5.14: NMOS 電晶體操作在飽和區時的iD − vGS 特性。iD − vOV 特. 性可以用重新標示水平軸的方式得到，即把原點移到vGS = Vtn 。

第3 章MOSFET 講義與作業

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vDS>vDS(sat) ：飽和區：理想MOSFET 有固定之D 極電流. ✧ I-V 曲線(n-MOSFET) ... 利用二次方程式的求解公式. 由於VDSD = V0 = 0.349 V < VGSD – VTND = 5 – 1 = 4 ...

金屬氧化物半導體場效電晶體

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上述的公式也是理想狀況下，金氧半場效電晶體在飽和區操作的電流與電壓關係式。事實上在飽和區的金氧半場效電晶體汲極電流會因為通道長度調變效應（英語：channel ...

【電子學 第8單元

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Chapter 5 The Field

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» 飽和區：理想MOSFET有固定之D極電流. » BJT之飽和指C極電流不再隨B極電流. 增加且 ... ☞已知Q點、假設飽和→飽和公式求. V. GS→VS→RS. 及V. D→RD→驗證飽和. ☞為 ...

金屬氧化半導體場效電晶體MOSFET

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和JFET 類似，MOSFET 是利用閘極偏壓控制源汲極間導通特性的元件，而且兩者之電特性也十分. 相像，不過一般而言MOSFET 的閘極漏電流會比JFET小。(圖8)是NMOS在飽和區的典型 ...

【電子學 第8單元

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一文弄懂MOS管的导通过程及损耗分析转载

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1. MOS管导通过程分析 ... MOSFET（以NMOS为例）的三个“工作区”一般称为： （1）截止区（Vgs < Vgsth），基本无电流（Ids = 0）。 （2）饱和区（Vgs > Vgsth 且Vds > Vgs ...