mosfet飽和區條件：金屬氧化物半導體場效電晶體

金屬氧化物半導體場效電晶體

...區。金氧半場效電晶體在飽和區操作的截面圖.飽和區（主動區）（saturationoractivemode）:當VGS>Vth且VGD

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條件下的. MOSFET，其vDS. 增加到VOV. 的狀態。在汲極. 端，vGD. 降到Vt. ，汲極端的通道深度降為零. (夾止)。此時，MOSFET 進入飽和區操作。更. 進一步增加vDS (超過 ...

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首先我们要先引进一个概念就是MOSFET的截止电压，当MOSFET的Vgs达到一定的的程度，也就是达到MOSFET器件的截至电压时（一般称这个电压为Vt）,MOSFET的D极以及S ...

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*主動區：MOSFET溝道由於有多數電荷載流子而飽和ID獨立於VDS。ID僅由VGS控制，並且對於任何給定VDS保持恆定。換言話說，MOSFET表現出 ...

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当Vgs > Vth 且Vds > Vgs - Vth 时，饱和区(恒流区)。其中Vth 是MOS管的一个重要参数——开启电压。当MOS管工作在变阻区内时，其沟道 ...

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场效应管饱和区是指场效应管输出特性曲线族中漏源电压U(DS)较大，且漏极电流I(D)基本不随U(DS)增加而变化的部分。这段特性曲线近似水平，故又叫“恒流区”。它 ...

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飽和區域：一旦排水源電壓（VDS）達到完全激活通道的水平，MOSFET就會進入飽和。在這種狀態下，漏極電流穩定，並不會隨著VD的進一步升高而增加，這表示當前門電壓 ...

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當閘極的負電壓增加至某一電壓時，空乏區會佔滿整個通道，使通道內無法產生電流ID。此時VGS的電壓即為截止電壓，因此，空乏型MOSFET操作於截止區的條件為。空乏型 ...

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