mram rram比較：快閃IC「RRAM」發展動向
快閃IC「RRAM」發展動向
各種新興記憶體比較
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ReRAM的材料衆多，性能有可能再提高。 MRAM則是由磁穿墜結(Magnetic Tunnel Junction；MTJ)當記憶單元，此MTJ由二鐵磁層：一自由層、一固定層，中間夾一 ...
科普：AI、邏輯運算與都看好！被視為第四種被動元件的「電阻 ...
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而RRAM 元件擁有低操作電壓、低功耗、操作速度較NAND Flash 快1000 倍以上的特性，還兼具低成本、非揮發性及高度可微縮性的優點[44]，除可作為工作記憶體 ...
一文读懂
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MRAM（磁性随机存储器）它靠磁场极化而非电荷来存储数据，存储单元由自由磁层、隧道栅层、固定磁层组成。自由磁层的磁场极化方向可以改变，固定层的磁场方向不 ...
剖析5種傳統及3種新型記憶體
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RRAM相比MRAM和PRAM，研究稍晚。主流記憶體廠商也紛紛投入資源，開始對RRAM展開研究，RRAM也已經由實驗室階段進入到企業的研發階段。 從容量上來看這 ...
人工智慧浪潮襲來，下世代記憶體如何應戰？
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電阻式記憶體：RRAM 由於電阻式記憶體結構簡單、讀寫速度快、密度高、消耗功率低，同時電阻材料如二氧化鈦、氧化鉿等都具有成本上的競爭優勢，是為該技術 ...
巨頭押注，MRAM開始爆發
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與ReRAM相比，ReRAM隨機讀寫速度優於傳統記憶體，但要慢於MRAM和FRAM；同時ReRAM的讀寫次數約在100萬次左右，較傳統記憶體有數量級的增加，但少於MRAM的讀寫寫 ...
〈觀察〉被視為夢幻記憶體的MRAM 為何吸引半導體大廠相繼 ...
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除效能上的優點外，相較於DRAM、SRAM 與NAND Flash 等記憶體面臨微縮困境，MRAM 特性可滿足製程微縮需求。目前DRAM 製程停滯在1X 奈米，而Flash 走到20 奈米 ...