MOSFET 短路測試：详解SiC MOSFET的短路检测及短路保护
详解SiC MOSFET的短路检测及短路保护
SiC MOSFET的快速短路检测与保护
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因为在短路过程中SiC MOSFET的高短路电流会产生极高的热量，因此SiC MOSFET需要快速的短路检测与保护。同时，电流关断速率也需要控制在一定范围内，防止关断 ...
簡單的方式去鑑定MOSFET的好壞
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再檢查一次drain - source兩端阻抗，如果顯示是短路的狀態，代表MOSFET是良好可以正常開啟的動作，如果量測的結果還是開路open，那麼代表MOSFET有可能是失效的 ...
談談SiC MOSFET的短路能力
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目前市面上大部分IGBT都會在數據手冊中標示短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時間是10us，IGBT7短路時間是8us。 而大部分的SiC MOSFET都沒有標示短路 ...
谈谈SiC MOSFET的短路能力
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1.通过以上分析，我们可以看到，当功率器件处于短路状态时，短路电流相对恒定。 · 2.当功率器件短路时，器件承受母线电压，电场分布在整个漂移区。 · 3.SiC ...
2023
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目前市面上大部分IGBT 都會在資料手冊中標出短路能力，大部分在5~10us 之間，例如英飛凌IGBT3/4 的短路時間是10us，IGBT7 短路時間是8us。 而大部分的SiC ...
評估短路條件下1200 V 碳化矽MOSFET 的穩固性
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本研究將討論1200 V，. 80mΩ 碳化矽MOSFET 的短路能力。 從各種操作條件下執行的破壞性測試. 中收集的結果將被呈現和解釋，以及. 從應用和 ...
SiC MOSFET短路保护技术综述
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然而，SiC MOSFET较高的开关速度与较弱的短路承受能力对短路保护技术带来了新的挑战。该文首先介绍SiC MOSFET不同短路类型以及短路测试方法；其次对SiC MOSFET短路失效 ...
什麼是雪崩崩潰失效
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在雪崩崩潰擊穿期間，不僅會發生由雪崩崩潰電流導致寄生雙極電晶體誤導通而造成的短路和損壞，還會發生由傳導損耗帶來的熱量造成的損壞。如前所述，當MOSFET ...