cis半導體製程：CMOS影像感測器五大主流製程技術
CIS 晶片遇到異常求助無門怎麼辦
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BSI CIS 的製程是在FSI CIS 製程後，會將該CIS 晶片正面與背載晶片（Carrier wafer）對接。對接後的晶片再針對CIS 晶片背面進行晶背薄化（Backside grinding） ...
數位攝影搖身一變黑科技，CIS 成長無止盡，遇上異常該如何 ...
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CIS 晶片又稱CMOS 影像感測器（CMOS Image Sensor），最早是在1963 年由美國一家半導體公司發明出來的積體電路設計，隨著時代進步，廣泛應用在數位攝影的感光元件中。而人們對 ...
影像感測器(二)：技術與產業篇
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CMOS影像感測器(CIS)的製程與DRAM有些相似，都是金屬層較少、對電荷敏感的陣列結構。陣列中畫素越多，圖像的解析度越高。
CMOS 影像感測器（CIS) 製程的微縮與堆疊（舊文重播） 來源
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光子積體電路(PIC): 將光學元件利用半導體製程技術微縮化至晶片上，並以 光為訊號在晶片內進行訊號處理 矽光子(Silicon Photonics): 利用矽基的CMOS製程 ...
影像感測器晶片封裝測試製程發展之探討
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由於利用半導體CMOS製程，且七成以上與傳統半導體產品諸如微處理器，微控制器及記憶晶片的製程邏輯相似，因此CMOS影像感測器的製造廠商，不必再另外購買昂貴的半導體 ...
堆疊式CIS故障分析
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CIS產品能夠從早期數十萬像素. 一路朝憶級像素邁進,有賴於摩爾定. 律(Moore's Law)帶動半導體製程演. 進,使得訊號處理能力顯著提升。然. 而半導體製程的進步卻也使得這類 ...
CIS晶片遇到異常求助無門怎麼辦
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BSI CIS的製程是在如同FSI CIS一般製程後，會將該CIS晶片正面與Carrier wafer對接。對接後的晶片再針對CIS晶片背面進行Backside grinding製程至數微米厚度 ...
30億美元「小目標」：談格科微的高階化之路
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實際上，堆疊式CIS單獨做邏輯層的一部分原因也在於隨著單畫素尺寸變小，需要借助高溫退火製程來獲得更好的光電性能——但邏輯層的元件是不耐高溫的——這也是小 ...