mosfet測試項目：靜態電性測試機
靜態電性測試機
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MOSFET参数理解及测试项目方法
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极限参数：. VDS：额定漏-源电压，此电压的大小由芯片设计决定。 VGS：额定栅-源电压，此电压的大小由芯片设计决定。 ID： 额定最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间 ...
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泰克MOSFET测试方案简介
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MOSFET测试难点: 1. 由于MOSFET是多端口器件,所以需要多个测量模块协同测试 ... 测试项目举例: 输出特性曲线Vds-lds. 电容测试曲线. 测试载台:高功率探针台/测试 ...
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GTM Electronics (Shanghai) Ltd.
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MOSFET的直流參數及測試目的. ▻ 8.測試項目(GMP)，測試線路如右：. • 測試方法：. GD Short，從DS間灌入一個電流(一般為250uA)量. 測IDS及VGS,用ID/VGS 得到GFS. • GMP：又 ...
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MOS介绍和参数测试方法原创
https://blog.csdn.net
MOS介绍和参数测试方法 原创 · 1：MOS的三个引脚 · 2：沟道与寄生二极管 · 3：MOS的主要作用 · 4：沟槽式场效应管.
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MOSFET規格相關的術語集
https://techweb.rohm.com.tw
MOSFET規格相關的術語集 ; 雪崩能量（單次觸發）, E · 雪崩擊穿時額定的最大能量值。 ; 額定損耗, P · 在指定條件下，MOSFET額定的最大功率損耗值。 ; 接合面溫度 ...
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功率元件該如何檢測？電性測量及故障分析全攻略
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首先，得了解哪些電性參數需要量測，以600V 的MOSFET 為例，其電性參數與其說明如圖四；了解電性參數的定義後，即可在某參數異常時，推測是哪一結構出現 ...