FF06030Q：深圳市泓京科技有限公司
深圳市泓京科技有限公司
深圳市泓京科技有限公司;FF06100G.DFN8*8.650V.21.100mΩ;FF06030E.TO-247-3L.650V.60.30mΩ;FF06030Q.TO-247-4L.650V.60.30mΩ.。其他文章還包含有：「以DoublePulseTest協助寬能隙半導體於電源轉換器功率級...」、「650V」、「【产品】雪崩耐受性强的碳化硅MOSFETFF06030系列」、「RAM存储解决商」、「SiliconcarbideSICMOStubeprofessionalagentsupplier」、「【产品】即思创意650V2~10A的SiCMPSJBS肖特基整流器」、「welcomet...
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以Double Pulse Test協助寬能隙半導體於 電源轉換器功率級 ...
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DUT: SiC MOSFET (FF06030Q). 即思創意. Page 46. 46. EE-Lab316. DPT Demo – FSS SiC MOSFET. □ Test setup. Miller clamp circuit. Gate driver: ...
650V
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100% Avalanche Tested, Short-Circuit Robust, Fast, Small, Powerful & Easy to Use. Our enhancement-mode SiC MOSFET provides Q oss almost 1/10 of advanced ...
【产品】雪崩耐受性强的碳化硅MOSFET FF06030系列
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即思创意推出的碳化硅MOSFET– Falcon Series FF06030具有快速切换行为的优化RDS(on)，能够与标准栅极驱动器兼容，雪崩耐受性强。其具有更高的系统效率，允许使用高温应用 ...
RAM存储解决商
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FF06030Q, 650, 30, TO-247-4L, 暂无. FF06100G, 650, 100, DFN8x8, 暂无. FL06100C, 650, 100, TO-220-3L, 暂无. FF06100D, 650, 100, TO-220FP, 暂无. FL06100D, 650 ...
Silicon carbide SIC MOS tube professional agent supplier
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It mainly provides 650V~1700V SiC MOSFETs and SiC diodes. Currently, the only SIC MOSFET design can be used with conventional 12v silicon-based gate drivers. At ...
【产品】即思创意650V2~10A的SiC MPSJBS肖特基整流器
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即思创意（FSS）推出的最大反向电压为650V的SiC MPS/JBS肖特基整流器，具备超低的QC特性，与主要竞品相比，在传导损耗特性相当的情况下降低了开关损耗（特指二极管结电容充/ ...
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