化學氣相沉積步驟：化學氣相沉積法
化學氣相沉積法
化學氣相沉積設備運作原理、優缺點與應用一次了解
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化學氣相沉積設備的基本原理包括以下步驟：</b>氣體傳輸：氣體前體被通入反應室，通常與載氣（inert carrier gas）混合，以確保均勻的沉積。表面吸附：氣體前體被吸附在基板表面上。化學反應：在基板表面上，氣體前體發生化學反應，生成沉積物。產物脫附：副產物被從基板表面脫附，同時可通入新的氣體前體進行更多的沉積。
化學氣相沉積
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在典型的CVD中，將前驅物在室溫下進料到反應腔體中。 當它們與加熱的基板接觸時，它們發生反應或分解以形成薄膜，並沉積在基材上。 在此過程中，還會產生副產物，這些副產 ...
化學氣相沉積
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半導體產業使用此技術來成長薄膜。 典型的CVD製程是將晶圓（基底）暴露在一種或多種不同的前趨物下，在基底表面發生化學反應或/及化學分解來產生欲沉積的薄膜。
化學氣相沉積機台規範
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1. 開機前先確認冰水機溫度是否為20°C 和水位是否正常. 2. 確認石英管鎖緊部位是否有冷卻水流動. 3. 設定溫度最高不得超過1100°C. 4. 降溫度，溫度沒有降到250°C，保溫蓋不能 ...
化學氣相沉積與介電質薄膜
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確認至少四種化學氣相沉積(CVD) 的應. 用. • 描述CVD 製程順序. • 列舉兩種沉積區並描述它們和溫度之間. 的關係. • 列舉兩種介電質薄膜. 舉出兩種最常使用在介電質化學 ...
化學氣相沉積
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z 源材料擴散穿過邊界層並接觸基片表面。 z 源材料吸附在基片表面上。 z 吸附的原材料再基片表面上移動。 z 在基片表面上開始化學反應。 z 固態產物在基片表面上形成晶核。