爐管原理：熱蒸鍍機與高溫爐管之製程與設備技術初步實務
熱蒸鍍機與高溫爐管之製程與設備技術初步實務
110 學年度科學園區人才培育補助計畫企業實習心得報告
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爐管結構、原理與操作 ˙氧化反應 乾氧化(Si + O2 → SiO2) : 氧氣擴散穿過原有的二氧化矽層與矽反應，反應 時會消耗掉約45%的矽變成SiO2。 濕氧化(Si + 2H2O → SiO2 + 2H2 ) :簡單來說就是氫氧混合(H2O)，在高溫爐 管內分離成H 和H-O(氫氧根)。
水平爐管個別原理
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水平爐管個別原理. 因爐管反應室(Quartz Tube)是藉由熱阻絲三區加熱，晶片在進出爐管時，. 其輸送速度不宜太快，使晶片因溫度變化過大的熱應力，導致破片。 影響薄膜沈積 ...
高溫及低壓水平爐管~ 基本操作手冊
http://eportfolio.lib.ksu.edu.
‧ 多晶矽經由LPCVD沉積，本身的Resistivity 很高，可做為IC設計上的 Resistor。 經Heavily Doped後的Polysilicon，電阻率降到500~1200μΩ-cm 之 間，可以成為IC 元件的導電 ...
垂直爐管技術資料
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因為氧化速率較快，可以節省製程所需要的時間，主要的應用如Field. Oxide 的製作。 2. 較高的爐管溫度，可以避免未反應完全的氫氣的累積，以預防所謂的“氫爆”。
第五章熱製程
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熱製程對溫度非常敏感. • 精確的溫度控制是重要的. • 中心區域±0.5 °C; 1000 °C ±0.05%!. 4. 垂直式爐管. 製程反應室. 晶圓. 塔架.
第一章緒論
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在半導體製程中,沈積多晶矽(Poly film)時,一般都是利用爐管方式做沈積,. 也就是使用低壓化學氣相沉積(LPCVD;Low Pressure chemical vapor deposition)方. 式,藉著矽甲烷( ...
5 Thermal Processes
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高溫爐廣泛使用在加熱製程上. • 高溫爐通常由控制系統；氣體輸送系統；製程. 爐管及反應室；晶圓裝載系統和排放系統所組. 成. • 垂直室高溫爐因其佔地面積少，較佳的污染物.
第二章實驗方法
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其基本原理，是利用一個能量大於樣. 品能隙( band gap ) 的光源照射在樣品表面，將能量位在價帶. ( valence band ) 的電子激發到傳導帶( conduction band ) ，同時於價. 帶內 ...