1700V SiC MOSFET：1700V SiC MOSFET模組的產品陣容擴大，有助於工業設備的 ...
1700V SiC MOSFET模組的產品陣容擴大，有助於工業設備的 ...
2024年3月6日—東芝電子元件及儲存裝置株式會社（“東芝”）已開始量產工業設備用碳化矽（SiC）1700V、汲極電流（DC）額定值250A的SiCMOSFET模組“MG250V2YMS3”，擴大品陣容 ...。其他文章還包含有：「1700VDiscreteSiliconCarbideMOSFETs」、「1700V碳化矽(SiC)MOSFET和二極體」、「1700V1000mΩSiCMOSFET離散式元件(AHR1K0B17MCA)」、「1700V80mΩSiCMOSFET離散式元件(AHR080B17MCA)」、「1700V350mA光耦合繼電器(SiCMOSFET)」、「...
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1700 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs
https://www.wolfspeed.com
Wolfspeed's 1700 V SiC MOSFETs enable enhanced system efficiency and reliability through high-speed switching and high blocking voltage.
1700 V 碳化矽(SiC) MOSFET 和二極體
https://www.digikey.tw
Wolfspeed 推出一系列1700 V SiC MOSFET 和肖特基二極體，可促成更小型、更高效的電源轉換系統。1700 V 平台已針對高頻率電力電子產品進行最佳化，包括 ...
1700V 1000mΩ SiC MOSFET 離散式元件(AHR1K0B17MCA)
https://www.actron.com.tw
1700V 1000mΩ SiC MOSFET 離散式元件(AHR1K0B17MCA) · 標準TO263-7引腳封裝 · 電壓: 1700V RDSon: 1000mΩ · 內建SiC MOSFET碳化矽(碳化硅)晶片 · 極高速開關速率 · 低開關 ...
1700V 80mΩ SiC MOSFET 離散式元件(AHR080B17MCA)
https://www.actron.com.tw
標準TO263-7引腳封裝 · 電壓: 1700V RDSon: 80mΩ · 內建SiC MOSFET碳化矽(碳化硅)晶片 · 極高速開關速率 · 低開關損耗 · 低雜散電感 · 符合AEC-Q101車用規範& PPAP流程.
1700V350mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET)
https://www.relay.com.tw
SMD6-5, 1700V/ 350mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET). 能負載高達1700伏的AA52F，是一顆採用8.8mm*6.4mm SMD6-5封裝形式的碳化矽半導體式小型光耦合繼電器，耐電流為350 ...
SiC-MOSFET的特徵
https://www.rohm.com.tw
SJ-MOSFET只有900V左右的產品，SiC則1700V以上的耐壓也能以低導通電阻推出產品。 由於不須採用如IGBT般的雙極元件構造(導通電阻變低但開關慢)，是能夠兼顧到低導通電阻 ...
SICW400N170A
https://www.digikey.tw
MCC 的SICW400N170A-BP 1,700 V SiC MOSFET 是設計用來提高各種應用中的功率轉換能力，這款MOSFET 的特點為僅400 mΩ 的超低導通電阻和高阻斷電壓的能力 ...
Through Hole TO
https://www.mouser.tw
MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET. GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D. G3R450MT17D; GeneSiC Semiconductor; 1: NT$246.60; 3,133庫存量.
內建1700V SiC MOSF ACDC轉換IC
https://www.rohm.com.tw
本產品採用一體化封裝，與採用Si-MOSFET的普通離散式結構相比較，零件數量大幅減少，1個封裝內包含多達12種產品（AC/DC轉換器控制IC、800V耐壓Si-MOSFET×2、齊納二極體×3、電阻 ...