氧化鎵 氮 化鎵：一文看懂第四代半導體，以及關鍵材料“氧化鎵”
一文看懂第四代半導體，以及關鍵材料“氧化鎵”
氧化鎵：用於功率元件的新一代半導體材料
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半導體產業越來越傾向使用像碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)這類寬能隙(WBG)材料製造元件，但這些材料的成本仍然相對較高。在過去十年中，氧化鎵(gallium ...
Ga2O3氧化鎵如何鑑定第四類半導體來了
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氧化鎵(Ga2O3)被稱為第四類半導體的原因是，其超寬能隙的特性，相較於第三類半導體(化合物半導體)碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)，將使材料能承受更高電壓的崩潰 ...
氧化鎵長晶技術發展與應用
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以氧化鎵材料製作的功率元件，相較於碳化矽(Silicon Carbon;SiC)和氮化鎵(Gallium Nitride; GaN)所製成的產品，更耐熱且高效、成本更低、應用範圍更廣。本文 ...
10年後氧化鎵將直接與碳化矽競爭
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然而，在寬能隙半導體材料發展勢如破竹的同時，學術界和科研界不約而同地展望下一代半導體材料——氧化鎵(Ga2O3)，並將其視為「替代碳化矽和氮化鎵」的新 ...
合晶氮化鎵磊晶已有量長期以氧化鎵為發展方向
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合晶認為，AI伺服器需要大量電力，而伺服器對power電源供應器也是最高標準，為了要提升功率密度，需要用到氮化鎵技術，且上千瓦的電源轉換器一定要用到GaN，因為 ...
日本研發出半導體材料氧化鎵的低成本製法
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氧化鎵是耐壓性超過「碳化矽」和「氮化鎵」的功率半導體材料，可以降低 ... 日本新技術將氮化鎵半導體材料成本降90% · 三菱電機增産高效節能的碳化 ...
氧化鎵的晶體成長、特性及其元件應用(上)
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與一般半導體矽(Si)、代表性寬能隙型半導體的碳化矽(SiC)及氮化鎵(GaN)相比，在功率元件應用上，氧化鎵具有同等的、甚至更高的發展潛力。 前言. 氧化物 ...
研發6吋氧化鎵單晶塊材中山大學助攻新興半導體技術
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氧化鎵各項性能指標有著更顯著的優勢，包括能承受更高電壓與臨界電場，電力損耗為矽的3400分之1、碳化矽的10分之1，且材料透明、可導電的獨特性能，應用層面也 ...